Энергонезависимая память
Энергонезависимая память (англ. Non-Volatile Random-Access Memory; NVRAM) — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания. Может состоять из модуля SRAM, соединённого со своей собственной батарейкой. В другом случае SRAM может действовать в связке с EEPROM, например, флеш-памятью.
В более общем смысле энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения или способа активации памяти, к примеру транспондер для радиочастотной идентификации. Однако подпадающие под это определение носители информации — ПЗУ, ППЗУ, устройства с подвижным носителем информации (диски, ленты) и другие — носят свои, более точные названия. Поэтому термин «энергонезависимая память» чаще всего употребляется более узко: по отношению к полупроводниковой БИС запоминающего устройства, которая обычно выполняется энергозависимой, и содержимое которой при выключении обычно пропадает.
Условно энергонезависимой памятью можно считать энергозависимую память, имеющую внешнее питание, например от батареи или аккумулятора. Например, часы на системной плате персонального компьютера и небольшая память для хранения настроек BIOS питаются от компактной батарейки, закреплённой на плате. Современные RAID-контроллеры могут оснащаться аккумулятором, который сохраняет данные в DRAM-памяти, используемой в качестве буфера.
В начале 2010-х годов наиболее широко распространённой энергонезависимой памятью большого объёма являлась флеш-память NAND (Charge Trap Flash).
Исследуется множество альтернативных технологий энергонезависимой памяти, некоторые из которых могли бы заменить флеш-память после её приближения к физическим пределам масштабирования, например: FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM и ряд других
См. также
- Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ, англ. ROM — Read-Only Memory) — энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных.
Примечания
- Frank Vahid and Tony Givargis. Chapter 5: Memories // Embedded System Design: A Unified Hardware/software Introduction. — Wiley India Pvt. Limited, 2006. — 348 p. — ISBN 9788126508372.
- Sung Hoon Baek. Transparent Fast Resynchronization for Consumer RAID Digest of Technical Papers // IEEE International Conference on Consumer Electronics (ICCE). — 2013. — С. 298—299. — ISBN 978-1-4673-1361-2. — ISSN 2158-3994. — doi:10.1109/ICCE.2013.6486902.: «High-end RAID systems utilize uninterruptible power supply (UPS) or battery-backed RAM to achieve both reliability and performance…high-end RAID system that uses UPS or battery- backed RAM to protect buffered data.»
- Shimin Chen. Exploiting Flash for Energy Efficient Disk Arrays (англ.). — «NVRAM (i.e., battery-backed RAM) as non-volatile write buffers.» Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано из оригинала 4 марта 2016 года.
- Kim, Kinam; Koh, Gwan-Hyeob. Future Memory Technology including Emerging New Memories (англ.). — Serbia and Montenegro: Proceedings of the 24th International Conference on Microelectronics, 2004. — P. 377—384.
- Tom Coughlin; Ed Grochowski.: . Thanks for the Memories: Emerging Non-Volatile Memory Technologies (англ.). Coughlin Associates; SNIA 2014 Storage Developer Conference (15 сентября 2014). Дата обращения: 9 января 2015. Архивировано 13 января 2015 года.
- Overview of emerging nonvolatile memory technologies Архивная копия от 16 мая 2022 на Wayback Machine // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526
Литература
- Аппаратные средства IBM PC. Энциклопедия, 2-е изд. / М. Гук, — СПб.: Питер, 2003. — 923 с.:ил., ISBN 5-318-00047-9
Для улучшения этой статьи желательно: |
В другом языковом разделе есть более полная статья Non-volatile random-access memory (англ.). |
Википедия, чтение, книга, библиотека, поиск, нажмите, истории, книги, статьи, wikipedia, учить, информация, история, скачать, скачать бесплатно, mp3, видео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, картинка, музыка, песня, фильм, игра, игры, мобильный, телефон, Android, iOS, apple, мобильный телефон, Samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Сеть, компьютер, Информация о Энергонезависимая память, Что такое Энергонезависимая память? Что означает Энергонезависимая память?
Energonezavisimaya pamyat angl Non Volatile Random Access Memory NVRAM raznovidnost zapominayushih ustrojstv s proizvolnym dostupom kotorye sposobny hranit dannye pri otsutstvii elektricheskogo pitaniya Mozhet sostoyat iz modulya SRAM soedinyonnogo so svoej sobstvennoj batarejkoj V drugom sluchae SRAM mozhet dejstvovat v svyazke s EEPROM naprimer flesh pamyatyu V bolee obshem smysle energonezavisimaya pamyat lyuboe ustrojstvo kompyuternoj pamyati ili ego chast sohranyayushee dannye vne zavisimosti ot podachi pitayushego napryazheniya ili sposoba aktivacii pamyati k primeru transponder dlya radiochastotnoj identifikacii Odnako podpadayushie pod eto opredelenie nositeli informacii PZU PPZU ustrojstva s podvizhnym nositelem informacii diski lenty i drugie nosyat svoi bolee tochnye nazvaniya Poetomu termin energonezavisimaya pamyat chashe vsego upotreblyaetsya bolee uzko po otnosheniyu k poluprovodnikovoj BIS zapominayushego ustrojstva kotoraya obychno vypolnyaetsya energozavisimoj i soderzhimoe kotoroj pri vyklyuchenii obychno propadaet Mikroshema KMOP soderzhit BIOS i nastrojki na materinskoj plate kompyutera podpityvaemaya litievoj batarejkoj Uslovno energonezavisimoj pamyatyu mozhno schitat energozavisimuyu pamyat imeyushuyu vneshnee pitanie naprimer ot batarei ili akkumulyatora Naprimer chasy na sistemnoj plate personalnogo kompyutera i nebolshaya pamyat dlya hraneniya nastroek BIOS pitayutsya ot kompaktnoj batarejki zakreplyonnoj na plate Sovremennye RAID kontrollery mogut osnashatsya akkumulyatorom kotoryj sohranyaet dannye v DRAM pamyati ispolzuemoj v kachestve bufera V nachale 2010 h godov naibolee shiroko rasprostranyonnoj energonezavisimoj pamyatyu bolshogo obyoma yavlyalas flesh pamyat NAND Charge Trap Flash Issleduetsya mnozhestvo alternativnyh tehnologij energonezavisimoj pamyati nekotorye iz kotoryh mogli by zamenit flesh pamyat posle eyo priblizheniya k fizicheskim predelam masshtabirovaniya naprimer FeRAM MRAM PMC PCM ReRAM i ryad drugihSm takzhePostoyannoe zapominayushee ustrojstvo PZU angl ROM Read Only Memory energonezavisimaya pamyat ispolzuetsya dlya hraneniya massiva neizmenyaemyh dannyh PrimechaniyaFrank Vahid and Tony Givargis Chapter 5 Memories Embedded System Design A Unified Hardware software Introduction Wiley India Pvt Limited 2006 348 p ISBN 9788126508372 Sung Hoon Baek Transparent Fast Resynchronization for Consumer RAID Digest of Technical Papers IEEE International Conference on Consumer Electronics ICCE 2013 S 298 299 ISBN 978 1 4673 1361 2 ISSN 2158 3994 doi 10 1109 ICCE 2013 6486902 High end RAID systems utilize uninterruptible power supply UPS or battery backed RAM to achieve both reliability and performance high end RAID system that uses UPS or battery backed RAM to protect buffered data Shimin Chen Exploiting Flash for Energy Efficient Disk Arrays angl NVRAM i e battery backed RAM as non volatile write buffers Data obrasheniya 9 yanvarya 2015 Arhivirovano iz originala 4 marta 2016 goda Kim Kinam Koh Gwan Hyeob Future Memory Technology including Emerging New Memories angl Serbia and Montenegro Proceedings of the 24th International Conference on Microelectronics 2004 P 377 384 Tom Coughlin Ed Grochowski Thanks for the Memories Emerging Non Volatile Memory Technologies angl Coughlin Associates SNIA 2014 Storage Developer Conference 15 sentyabrya 2014 Data obrasheniya 9 yanvarya 2015 Arhivirovano 13 yanvarya 2015 goda Overview of emerging nonvolatile memory technologies Arhivnaya kopiya ot 16 maya 2022 na Wayback Machine Nanoscale Res Lett 2014 9 1 526 Sep 25 2014 doi 10 1186 1556 276X 9 526LiteraturaApparatnye sredstva IBM PC Enciklopediya 2 e izd M Guk SPb Piter 2003 923 s il ISBN 5 318 00047 9Dlya uluchsheniya etoj stati zhelatelno Proverit dostovernost ukazannoj v state informacii Na stranice obsuzhdeniya dolzhny byt poyasneniya Pozhalujsta posle ispravleniya problemy isklyuchite eyo iz spiska parametrov Posle ustraneniya vseh nedostatkov etot shablon mozhet byt udalyon lyubym uchastnikom V drugom yazykovom razdele est bolee polnaya statya Non volatile random access memory angl Vy mozhete pomoch proektu rasshiriv tekushuyu statyu s pomoshyu perevoda
