Карбид кремния

Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, в микроэлектронике (в силовых установках электроавтомобилей), для имитирующих алмаз вставок в ювелирные украшения, для изготовления пропускных колец спиннингов.

Карбид кремния

Общие
Хим. формула	SiC
Физические свойства
Состояние	кристаллы, друзы или кристаллические порошки от прозрачного белого, жёлтого, зелёного или тёмно-синего до чёрного цветов, в зависимости от чистоты, дисперсности, аллотропных и политипных модификаций.
Молярная масса	40,0962 г/моль
Плотность	3,21 г/см³
Твёрдость	9,5
Энергия ионизации	9,3 ± 0,1 эВ
Термические свойства
Температура
• плавления	(с разл.) 2730 °C
• сублимации	4892 ± 1 ℉
Давление пара	0 ± 1 мм рт.ст.
Химические свойства
Растворимость
• в воде	нерастворим
• в кислотах	нерастворим
Оптические свойства
Показатель преломления	2,55
Классификация
Рег. номер CAS	409-21-2
PubChem	9863
Рег. номер EINECS	206-991-8
SMILES	[C-]#[Si+]
InChI	InChI=1S/CSi/c1-2 HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N
RTECS	VW0450000
ChEBI	29390
ChemSpider	9479
Безопасность
NFPA 704	0 1 0
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
Медиафайлы на Викискладе

Открытие и начало производства

О ранних, не систематических и часто непризнанных синтезах карбида кремния сообщали Деспретз (фр. César Despretz; 1849), Марсден (англ. Robert Sydney Marsden; 1880) и Колсон (Albert Colson; 1882 год). Широкомасштабное производство начал Эдвард Гудрич Ачесон в 1893 году. Он запатентовал метод получения порошкообразного карбида кремния 28 февраля 1893 года. Ачесон также разработал электрическую печь, в которой карбид кремния создаётся до сих пор. Он основал компанию The Carborundum Company для производства порошкообразного вещества, которое первоначально использовалось в качестве абразива.

Исторически первым способом использования карбида кремния было использование в качестве абразива. За этим последовало применение и в электронных устройствах. В начале XX века карбид кремния использовался в качестве детектора в первых радиоприемниках. В 1907 году Генри Джозеф Раунд создал первый светодиод, подавая напряжение на кристаллы SiC и наблюдая за жёлтым, зелёным и оранжевым излучением на катоде. Эти эксперименты были повторены О. В. Лосевым в СССР в 1923 году.

Формы нахождения в природе

Монокристалл муассанита (~1 мм в размере)

Природный карбид кремния — муассанит можно найти только в ничтожно малых количествах в некоторых типах метеоритов и в месторождениях корунда и кимберлита. Практически любой карбид кремния, продаваемый в мире, в том числе и в виде муассанитового украшения, является синтетическим. Природный муассанит был впервые обнаружен в 1893 году в виде небольших шестиугольных пластинчатых включений в метеорите Каньон Диабло в Аризоне Фердинандом Анри Муассаном, в честь которого и был назван минерал в 1905 году. Исследование Муассана о естественном происхождении карбида кремния было изначально спорным, потому что его образец мог быть загрязнён крошкой карбида кремния от пилы (в то время пилы уже содержали данное вещество).

Хоть карбид кремния и является редким веществом на Земле, он широко распространён в космосе. Это вещество встречается в пылевых облаках вокруг богатых углеродом звёзд, также его много в первозданных, не подвергшихся изменениям, метеоритах (почти исключительно в форме бета-). Анализ зёрен карбида кремния, найденных в углеродистом хондритовом метеорите Мёрчисон, показал аномальное изотопное соотношение углерода и кремния, что указывает на происхождение данного вещества за пределами Солнечной системы: 99 % зёрен SiC образовалось около богатых углеродом звёзд, принадлежащих к асимптотической ветви гигантов. Карбид кремния можно часто обнаружить вокруг таких звёзд по их ИК-спектрам.

Производство

Из-за редкости нахождения в природе муассанита карбид кремния, как правило, имеет искусственное происхождение. Простейшим способом производства является спекание кремнезёма с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1600—2500 °C:

{\ce {SiO2{}+3C->[1600{-}2500~^{\circ }{\text{C}}]SiC{}+2CO\uparrow }}

Синтетические кристаллы SiC ~3 мм в диаметре

Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового резистора в ТЭНе.

Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-жёлтого и зелёного цвета находятся ближе всего к резистору. На большем расстоянии от резистора цвет изменяется на синий или чёрный из-за примесей. Загрязнителями чаще всего являются азот и алюминий, они влияют на электропроводность полученного материала.

Кристаллы карбида кремния, полученные благодаря ^[англ.]

Чистый карбид кремния можно получить с помощью так называемого ^[англ.], в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размерами до 2 см × 2 см. Этот процесс даёт высококачественные монокристаллы, получающиеся из-за быстрого нагрева до высоких температур и в основном состоящие из 6H-SiC фазы. Улучшенный процесс Лели при участии индукционного нагрева в графитовых тиглях даёт ещё большие монокристаллы до 10 см в диаметре. Кубический SiC, как правило, выращивается с помощью более дорогостоящего процесса — химического осаждения паров.

Чистый карбид кремния также может быть получен путём термического разложения полимера (SiCH₃)_n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса метод пиролиза более удобен, поскольку из полимера можно сформировать изделие любой формы перед запеканием в керамику.

Структура и свойства

Структуры основных политипов SiC
(β)3C-SiC
4H-SiC
(α)6H-SiC

Известно примерно 250 кристаллических форм карбида кремния. Полиморфизм SiC характеризуется большим количеством схожих кристаллических структур, называемых политипами. Они являются вариациями одного и того же химического соединения, которые идентичны в двух измерениях, но отличаются в третьем. Таким образом, их можно рассматривать как слои, сложенные в стопку в определённой последовательности.

Альфа-карбид кремния (α-SiC) является наиболее часто встречающимся полиморфом. Эта модификация образуется при температуре свыше 1700 °C и имеет гексагональную решётку, кристаллическая структура типа вюрцита.

Бета-модификация (β-SiC), с кристаллической структурой типа цинковой обманки (аналог структуры алмаза), образуется при температурах ниже 1700 °C. До недавнего времени бета-форма имела сравнительно небольшое коммерческое использование, однако в настоящее время в связи с использованием его в качестве гетерогенных катализаторов интерес к ней увеличивается. Нагревание бета-формы до температур свыше 1700 °C способно приводить к постепенному переходу кубической бета-формы в гексагональную (2Н, 4Н, 6Н, 8Н) и ромбичеcкую (15R). При повышении температуры и времени процесса все образующиеся формы переходят в конечном итоге в гексагональный альфа-политип 6Н.

Свойства основных политипов карбида кремния
Политип	3C (β)	4H	6H (α)
Кристаллическая структура	Кубическая	Гексагональная	Гексагональная
Пространственная группа	$T_{d}^{2}-F43m$	$C_{6v}^{4}-P6_{3}mc$	$C_{6v}^{4}-P6_{3}mc$
Символ Пирсона	cF8	hP8	hP12
Постоянные решётки (Å)	4,3596	3,0730; 10,053	3,0810; 15,12
Плотность (г/см³)	3,21	3,21	3,21
Ширина запрещённой зоны (эВ)	2,36	3,23	3,05
МОС (ГПа)	250	220	220
Теплопроводность (Вт/(см·К))	3,6	3,7	4,9

Чистый карбид кремния бесцветен. Его оттенки от коричневого до чёрного цвета связаны с примесями железа. Радужный блеск кристаллов обусловливается тем, что при контакте с воздухом на их поверхности образуется плёнка из диоксида кремния, что приводит к пассивированию внешнего слоя.

Карбид кремния является весьма инертным химическим веществом: практически не взаимодействует с большинством кислот, кроме концентрированных фтористоводородной (плавиковой), азотной и ортофосфорной кислот. Способен выдерживать нагревание на открытом воздухе до температур порядка 1500 °C. Карбид кремния не плавится при любом известном давлении, но способен сублимировать при температурах свыше 1700 °C. Высокая карбида кремния делает его пригодным для создания подшипников и частей оборудования для высокотемпературных печей.

Существует большой интерес в использовании данного вещества в качестве полупроводникового материала в электронике, где высокая теплопроводность, высокое электрическое напряжение пробоя и высокая плотность электрического тока делают его перспективным материалом для высокомощных устройств, в том числе при создании сверхмощных светодиодов. Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0⋅10⁻⁶ K⁻¹) и в достаточно широком температурном диапазоне эксплуатации не испытывает фазовых переходов (в том числе фазовых переходов второго рода), из-за которых может произойти разрушение монокристаллов.

Электропроводность

Карбид кремния является полупроводником, тип проводимости которого зависит от примесей. Проводимость n-типа получается при легировании азотом или фосфором, а p-тип — с помощью алюминия, бора, галлия или бериллия. Металлическая проводимость была достигнута за счёт сильного легирования бором, алюминием и азотом.

Сверхпроводимость была обнаружена в политипах 3C-SiC:Al, 3C-SiC:B и 6H-SiC:B при одинаковой температуре — 1,5 К.

Физические свойства

Карбид кремния является твёрдым, тугоплавким веществом. Кристаллическая решётка аналогична решётке алмаза. Является полупроводником.

Стандартная энтальпия образования (298 К): −66,1 кДж/моль.
(298 К): −63,7 кДж/моль.
(298 К): 16,61 Дж/(моль·K).
Стандартная мольная теплоемкость (298 К): 26,86 Дж/(моль·K).
Характер кристаллической решётки: атомный. Энергия кристаллической решётки: 299 ккал/(г·форм^{[прояснить]}).

Химические свойства

По типу химической связи карбид кремния относится к ковалентным кристаллам. Доля ионной связи, обусловленной некоторым различием в электроотрицательностях атомов Si и C, не превышает 10—12 %. Энергия ковалентной связи между атомами кремния и углерода в кристаллах SiC почти в три раза превышает энергию связи между атомами в кристаллах кремния. Благодаря сильным химическим связям карбид кремния выделяется среди других материалов высокой химической и радиационной стойкостью, температурной стабильностью физических свойств, большой механической прочностью и высокой твёрдостью. В инертной атмосфере карбид кремния разлагается только при очень высокой температуре:

{\ce {SiC->[2830~^{\circ }{\text{C}}]Si{}+C}}

.

Сильно перегретый пар разлагает карбид кремния:

{\ce {SiC{}+2H2O->[1300~^{\circ }{\text{C}}]SiO2{}+CH4\uparrow }}

.

Концентрированные кислоты и их смеси растворяют карбид кремния:

{\ce {3 SiC + 8 HNO3 -> 3 SiO2 + 3 CO2 ^ + 8 NO ^ + 4 H2O,}}

{\ce {3 SiC + 18 HF + 8 HNO3 -> 3 H2[SiF6] + 3 CO2 ^ + 8 NO ^ + 10 H2O}}

.

В присутствии кислорода щёлочи растворяют карбид кремния:

{\ce {SiC + 2 NaOH + 2 O2 -> Na2SiO3 + CO2 ^ + H2O,}}

{\ce {SiC{}+4NaOH{}+2O2->[>350~^{\circ }{\text{C}}]Na2SiO3{}+Na2CO3{}+2H2O}}

.

При нагревании реагирует с кислородом:

{\ce {2SiC{}+3O2->[950{-}1700~^{\circ }{\text{C}}]2SiO2{}+2CO\uparrow ,}}

с галогенами:

{\ce {SiC{}+2Cl2->[600{-}1200~^{\circ }{\text{C}}]SiCl4{}+C,}}

с азотом, образуя нитрид кремния:

{\ce {6SiC{}+7N2->[1000{-}1400~^{\circ }{\text{C}}]2Si3N4{}+3C2N2,}}

с активными металлами:

{\ce {2SiC{}+5Mg->[700~^{\circ }{\text{C}}]2Mg2Si{}+MgC2,}}

и их пероксидами:

{\ce {SiC{}+4Na2O2->[700{-}800~^{\circ }{\text{C}}]Na2SiO3{}+Na2CO3+2Na2O}}

.

Применение

Абразивные и режущие инструменты

В современной гранильной мастерской карбид кремния является популярным абразивом из-за его прочности и низкой стоимости. В обрабатывающей промышленности из-за его высокой твёрдости он используется в абразивной обработке в таких процессах как шлифование, хонингование, водоструйная резка и пескоструйная обработка. Частицы карбида кремния ламинируются на бумагу для создания шлифовальной шкурки.

Суспензии мелкодисперсных порошков карбида кремния в масле, глицерине или этиленгликоле используются в процессе проволочной резки полупроводниковых монокристаллов на пластины.

В 1982 году случайно был обнаружен композит, состоящий из оксида алюминия и карбида кремния, кристаллы которого растут в виде очень тонких нитей.

Конструкционные материалы

Карбид кремния используется в качестве лицевого слоя композитной секции противопулевого бронежилета

Карбид кремния наряду с карбидом вольфрама и другими износостойкими материалами применяется для создания торцевых механических уплотнений.

В 1980-х и 1990-х годах карбид кремния исследовался в нескольких научно-исследовательских программах разработки высокотемпературных газовых турбин в США, Японии и Европе. Планировалось, что разработанные компоненты из карбида кремния заменят рабочие и сопловые лопатки турбин из никелевых жаропрочных сплавов. Тем не менее, ни один из этих проектов не привёл к промышленному производству, в основном из-за низкого сопротивления ударным нагрузкам и низкой вязкости разрушения карбида кремния.

Подобно другим высокотвёрдым керамическим материалам (оксид алюминия и карбид бора), карбид кремния используется как компонент композитной брони, применяемой для защиты вооружения и военной техники, а также в виде составного элемента слоистой брони керамика/органопластик противопульных жилетов. В бронежилете «Шкура дракона», созданном компанией Pinnacle Armor, используются диски из карбида кремния.

Автомотодетали

Углерод-керамические (карбид кремния) дисковые тормоза Porsche Carrera GT

Инфильтрованый кремний в материале «композит углерод-углерод» используется для производства высококачественных «керамических» дисковых тормозов, так как способен выдерживать экстремальные температуры. Кремний вступает в реакцию с графитом в «композите углерод-углерод», становясь армированным углеродным волокном карбида кремния (C/SiC). Диски из этого материала используются на некоторых спортивных автомобилях, в том числе Porsche Carrera GT, Bugatti Veyron, , Bentley, Ferrari, Lamborghini. Карбид кремния используется также в спечённых формах в дизельных фильтрах для очистки от твёрдых частиц^{[уточнить]}.

Электроника и электротехника

Первыми электрическими устройствами из SiC были нелинейные элементы варисторы и вентильные разрядники (см. также: тирит, , , силит) для защиты электроустановок от перенапряжений. Карбид кремния в разрядниках применяется в виде материала вилита — смеси SiC и связующего. Варистор обладает высоким сопротивлением до тех пор, пока напряжение на нём не достигнет определённого порогового значения V_T, после чего его сопротивление падает до более низкого уровня и поддерживает это значение, пока приложенное напряжение не упадёт ниже V_T.

Электронные приборы

Карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и в высокотемпературных тиристорах. По сравнению с приборами на основе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют следующие преимущества:

в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
в 10 раз большая электрическая прочность;
высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);
теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;
устойчивость к воздействию радиации;
стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Из почти 250 модификаций карбида кремния только две применяются в полупроводниковых приборах — 4H-SiC и 6H-SiC.

Проблемы с сопряжением элементов, основанных на диоксиде кремния, препятствуют развитию n-МОП транзисторов и IGBT, основанных на карбидокремнии. Другая проблема заключается в том, что сам SiC пробивается при высоких электрических полях в связи с образованием цепочек дефектов упаковки, но эта проблема может быть решена совсем скоро^{[прояснить]}.

История светодиодов из SiC весьма примечательна: впервые свечение в SiC было обнаружено Х. Роундом в 1907 году. Первые коммерческие светодиоды были также на основе карбида кремния. Жёлтые светодиоды из 3C-SiC были изготовлены в СССР в 1970-х годах, а синие (из 6H-SiC) по всему миру — в 1980-х годах. Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10—100 раз более яркую эмиссию. Эта разница в эффективности связана с неблагоприятной непрямой запрещённой зоной SiC, в то время как нитрид галлия имеет прямую запрещённую зону, которая способствует увеличению интенсивности свечения. Тем не менее, SiC по-прежнему является одним из важных компонентов светодиодов — это популярная подложка для выращивания устройств из нитрида галлия, также он служит теплораспределителем в мощных светодиодах.

Астрономия и точная оптика

Жесткость, высокая теплопроводность и низкий коэффициент теплового расширения делают карбид кремния термостабильным материалом в широком диапазоне рабочих температур. Это обуславливает широкое применение карбидкремниевых матриц для изготовления зеркальных элементов в различных оптических системах, например, в астрономических телескопах или в системах передачи энергии с использованием лазерного излучения. Развитие технологий (химическое осаждение паров) позволяет создавать диски из поликристаллического карбида кремния до 3,5 метров в диаметре. Заготовки зеркал могут формироваться различными методами, включая прессование чистого мелкого порошка карбида кремния под высоким давлением. Несколько телескопов (например, Gaia) уже оснащены оптикой из карбида кремния, покрытого алюминием.

Пирометрия

Изображения теста пирометрии. Высота пламени 7 см

Волокна из карбида кремния используются для измерения температуры газов оптическим методом, называемым тонкой пирометрией накаливания. При измерении тонкие нити (диаметр 15 мкм) из карбида кремния вводят в зону измерения. Волокна практически не влияют на процесс горения, а их температура близка к температуре пламени. Таким методом может быть измерена температура в диапазоне 800—2500 K.

Нагревательные элементы

Первые упоминания об использовании карбида кремния для изготовления нагревательных элементов относятся к началу 20 века, когда они были изготовлены в США и в Берлине^{[источник не указан 4105 дней]}.

В настоящее время карбид кремния является одним из типичных материалов для изготовления нагревательных элементов, способных работать при температурах до 1400 °C на воздухе и до 2000 °C в нейтральной или восстановительной среде^{[источник не указан 4105 дней]}, что заметно выше, чем доступно для многих металлических нагревателей^{[источник не указан 4105 дней]}.

Нагревательные элементы из карбида кремния используются при плавлении цветных металлов и стекла, при термической обработке металлов, флоат-стекла, при производстве керамики, электронных компонентов и т. д.

Ядерная энергетика

Благодаря высокой устойчивости к воздействию внешних неблагоприятных факторов, включая природные, высокой прочности и твёрдости, низкому коэффициенту теплового расширения и низкому коэффициенту диффузии примесей и продуктов деления реакционноспечённый карбид кремния нашёл применение в ядерной энергетике.

Карбид кремния, наряду с другими материалами, используется в качестве слоя из триструктурально-изотропного покрытия для элементов ядерного топлива в высокотемпературных реакторах, в том числе в газоохлаждаемых реакторах^{[источник не указан 918 дней]}.

Из карбида кремния изготавливаются пеналы для длительного хранения и захоронения ядерных отходов^{[источник не указан 918 дней]}.

Ювелирные изделия

Как ювелирный камень карбид кремния используется в ювелирном деле под названием «синтетический муассанит» или просто «муассанит». Муассанит похож на алмаз: он прозрачен и твёрд (9—9,5 по шкале Мооса, по сравнению с 10 для алмаза), с показателем преломления 2,65—2,69 (по сравнению с 2,42 для алмаза).

Внешние изображения
Различия в разложении света камнями
	Дисперсия света огранёнными муассанитом и бриллиантом.

Муассанит имеет несколько более сложную структуру, чем обычный кубический диоксид циркония. В отличие от алмаза, муассанит может иметь сильное двулучепреломление. Это качество является желательным в некоторых оптических конструкциях, но только не в драгоценных камнях. По этой причине муассанитовые драгоценности разрезают вдоль оптической оси кристалла, чтобы свести к минимуму эффект двупреломления. Муассанит имеет более низкую плотность 3,21 г/см³ (против 3,53 г/см³ для алмаза) и гораздо более устойчив к теплу. В результате получается камень с большим блеском минерала, с чёткими гранями и хорошей устойчивостью к внешним воздействиям.

Синтетический карбид кремния: карборунд, **муассанит** (**бриллиантовая огранка**)

В сравнении с алмазом, который горит при температуре 800 °C, муассанит остаётся неповреждённым вплоть до температуры в 1800 °C (температура плавления чистого золота равна 1064 °C). Муассанит стал популярен как заменитель алмаза и может быть ошибочно принят за алмаз, так как его теплопроводность гораздо ближе к алмазу, чем у любого другого заменителя бриллианта. Драгоценный камень можно отличить от алмаза с помощью его двулучепреломления и очень небольшой зелёной или жёлтой флуоресценции в ультрафиолетовом свете.

Производство стали

Карбид кремния выступает в качестве топлива для изготовления стали в конвертерном производстве. Он чище, чем уголь, что позволяет сократить отходы производства. Также может быть использован для повышения температуры и регулирования содержания углерода. Использование карбида кремния стоит меньше и позволяет производить чистую сталь из-за низкого уровня содержания микроэлементов, по сравнению с ферросилицием и сочетанием с углеродом.

Катализатор

Естественная резистентность карбида кремния к окислению, а также открытие новых путей синтеза кубической формы β-SiC с большей площадью поверхности, приводит к большому интересу в использовании его в качестве гетерогенного катализатора. Эта форма уже использовалась в качестве катализатора при окислении углеводородов, таких как н-бутан, малеиновый ангидрид.

Производство графена

Карбид кремния используется для производства графена с помощью графитизации при высоких температурах. Это производство рассматривается как один из перспективных методов синтеза графена в больших масштабах для практических применений. Высокая температура (2830 °C, как выше указано в реакции) приводит к разложению карбида кремния. Кремний как более летучий элемент уходит из приповерхностных слоёв, оставляя одно- или многослойный графен, нижние из которых сильно связаны с объёмным кристалом. В качестве исходного материала используют монокристаллы 6H-SiC(0001), на поверхности которых формировались террасы графена в результате термообработки с размерами около 1 мкм, разделённые областями с несколькими слоями.

Применение в строительстве

Может использоваться в качестве фибры в фибробетоне (аналогично базальтовому волокну).

См. также

Победит
Карбид вольфрама
Муассанит
Абразив
Нитрид галлия

Примечания

Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals (англ.). — McGraw-Hill Education, 2002. — ISBN 0070494398.
http://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0555.html
Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Архивировано 24 апреля 2012 года.
Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing (англ.). — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.
Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material» (англ.).
The Manufacture of Carborundum — a New Industry (англ.). 4 июля 1894. Архивировано из оригинала 23 января 2009.
Dunwoody, Henry H. C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector) (англ.).
Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha.: . A History of Electroluminescent Displays (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
Moissan, Henri. Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo (фр.) // ^[англ.] : magazine. — 1904. — Vol. 139. — P. 773—786. Архивировано 2 декабря 2019 года.
Di Pierro S. et al. Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) (итал.) // ^[англ.] : diario. — 2003. — V. 88. — P. 1817—1821. Архивировано 24 сентября 2015 года.
Alexander C. M. O'D. In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites (англ.) // Nature : journal. — 1990. — Vol. 348. — P. 715—717. — doi:10.1038/348715a0.
Jim Kelly. The Astrophysical Nature of Silicon Carbide (неопр.). Архивировано 4 мая 2017 года.
Harris, Gary Lynn. Properties of silicon carbide (англ.). — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170—180. — ISBN 0852968701.
Lely, Jan Anthony. Darstellung von Einkristallen von Silicium Carbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen (нем.) // Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft : Журнал. — 1955. — H. 32. — S. 229—236.
N. Ohtani, T. Fujimoto, T. Aigo, M. Katsuno, H. Tsuge, H. Yashiro. Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report. — 2001. — No. 84. Архивировано из оригинала 4 марта 2012 года.
Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology (англ.). — Springer, 2003. — P. 180—200. — ISBN 3540003673.
Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) (англ.) // журнал Advanced Materials. — 2004. — P. 706. — doi:10.1002/adma.200306467.
Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 20—60. — ISBN 0127521607.
Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres (англ.) // Journal of Materials Science. — 2006. — P. 823. — doi:10.1007/s10853-006-6566-z.
Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide (англ.). — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — P. 260. — doi:10.1021/cm00027a007.
Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments (англ.). — Imperial College Press, 2006. — P. 3. — ISBN 1860946240.
Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies (англ.). — Journal of Applied Physics, 1994. — P. 1363. — doi:10.1063/1.358463.
Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide (англ.). — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204.
Карбид кремния / под ред. Г. Хенита и Р. Рол, пер. с англ. — М.: Мир, 1972. — 349 с., с ил. — С. 119—128.
Г. Г. Гнесин. Карбидокремниевые материалы. — М.: Металлургия, 1977. — 216 с., с ил.
Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Дата обращения: 6 июня 2009. Архивировано 24 апреля 2012 года.
Yoon-Soo Park, Willardson, Eicke R. Weber. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 1—18. — ISBN 0127521607.
Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.). — IEEE Transactions on Electron Devices, 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Iss. 9. — P. 044205. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205.
Важнейшие соединения кремния (рус.). Дата обращения: 24 мая 2010. Архивировано 13 октября 2007 года.
Рабинович, В. А. Кремния карбид // Краткий химический справочник / В. А. Рабинович, З. Я. Хавин. — Л. : Химия, 1977. — С. 74.
А. М. Голуб. Общая и неорганическая химия = Загальна та неорганична хімія. — Вища школа, 1971. — С. 227. — 443 с. — 6700 экз.
Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759 (англ.).
Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites (англ.). — Springer, 2005. — P. 312. — ISBN 1402081332.
Ceramics for turbine engines (англ.). Архивировано 6 апреля 2009.
Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight (англ.). Future Firepower. Архивировано 24 апреля 2012 года.
Top 10 Fast Cars (англ.). Архивировано из оригинала 26 августа 2009 года.
O'Sullivan, D.; Pomeroy, M. J.; Hampshire, S.; Murtagh, M. J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits (англ.) // MRS proceedings. — 2004. — Iss. 19. — P. 2913—2921. — doi:10.1557/JMR.2004.0373.
Whitaker, Jerry C. The electronics handbook (англ.). — CRC Press, 2005. — P. 1108. — ISBN 0849318890.
Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.) // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.
Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention (англ.) // Nature : Журнал. — 2004-08-26. — Iss. 430. — P. 974—975. — doi:10.1038/430974a.
Yellow SiC LED (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes (англ.). — Academic Press, 1997. — P. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.
The largest telescope mirror ever put into space (англ.). European Space Agency. Архивировано 19 октября 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.
Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope (англ.) // Journal Proc. SPIE. — P. 263. Архивировано 1 октября 2017 года.
Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames (англ.). NASA. Архивировано 15 марта 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.
Maun, Jignesh D.; Sunderland, P. B.; Urban, D. L. Thin-filament pyrometry with a digital still camera (англ.) // Applied Optics. — 2007. — Iss. 4. — P. 483. — doi:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.
Yeshvant V. Deshmukh. Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383—393. — ISBN 0849334055.
López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties (англ.) // Journal of Nuclear Materials : журнал. — 2009. — P. 219. — doi:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013.
Moissanite vs. Diamond: What’s the Difference? Архивная копия от 25 июня 2024 на Wayback Machine (англ.)
What is moissanite? Архивная копия от 25 июня 2024 на Wayback Machine (англ.)
O'Donoghue, M. Gems (англ.). — Elsevier. — 2006. — P. 89. — ISBN 0-75-065856-8.
Silicon carbide (steel industry) (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts : heterogeneous catalysts : [англ.]. — CRC Press, 2000. — P. 258. — ISBN 0849394171.
Singh, S. K. High surface area silicon carbide from rice husk : A support material for catalysts : [англ.] / S. K. Singh, K. M. Parida, B. C. Mohanty … [et al.] // Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — Vol. 54. — P. 29–34. — doi:10.1007/BF02071177.
de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics (англ.). — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381. (недоступная ссылка)
de Heer, Walt A. Epitaxial graphene (англ.) // Solid State Communications. — 2007. — P. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023. Архивировано из оригинала 9 декабря 2008 года.
Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства (рус.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — doi:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233. Архивировано 14 декабря 2012 года.
212. К. А. Сарайкина, В. А. Шаманов Дисперсное армирование бетонов // Вестник ПГТУ. Урбанистика. 2011. № 2.

Ссылки

Kelly, Jim. A brief history of SiC : [арх. 19.01.2008] // Jim Kelly's filing cabinet. — Department of Chemistry, University College London, 2005. — 18 июля. — Дата обращения: 23.06.2020.
Карбид кремния: технология, свойства, применение / Под ред. Беляева А. Е., Конаковой Р. В. — Харьков: ИСМА, 2010. — 532 с. — ISBN 978-966-02-5445-9
Дигонский С. В. Газофазные процессы синтеза и спекания тугоплавких веществ. — М.: ГЕОС, 2013. — 462 с.

[1] Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals (англ.). — McGraw-Hill Education, 2002. — ISBN 0070494398.

[_e4d75449c5096791-2] ttp://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0555.html

[ioffe-3] Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Архивировано 24 апреля 2012 года.

[4] Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing (англ.). — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.

[5] Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material» (англ.).

[6] The Manufacture of Carborundum — a New Industry (англ.). 4 июля 1894. Архивировано из оригинала 23 января 2009.

[7] Dunwoody, Henry H. C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector) (англ.).

[ultraviolet-8] Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha.: . A History of Electroluminescent Displays (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.

[9] Moissan, Henri. Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo (фр.) // ^[англ.] : magazine. — 1904. — Vol. 139. — P. 773—786. Архивировано 2 декабря 2019 года.

[pierro-10] Di Pierro S. et al. Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide) (итал.) // ^[англ.] : diario. — 2003. — V. 88. — P. 1817—1821. Архивировано 24 сентября 2015 года.

[11] Alexander C. M. O'D. In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites (англ.) // Nature : journal. — 1990. — Vol. 348. — P. 715—717. — doi:10.1038/348715a0.

[12] Jim Kelly. The Astrophysical Nature of Silicon Carbide (неопр.). Архивировано 4 мая 2017 года.

[growth-13] Harris, Gary Lynn. Properties of silicon carbide (англ.). — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170—180. — ISBN 0852968701.

[14] Lely, Jan Anthony. Darstellung von Einkristallen von Silicium Carbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen (нем.) // Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft : Журнал. — 1955. — H. 32. — S. 229—236.

[15] N. Ohtani, T. Fujimoto, T. Aigo, M. Katsuno, H. Tsuge, H. Yashiro. Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report. — 2001. — No. 84. Архивировано из оригинала 4 марта 2012 года.

[16] Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology (англ.). — Springer, 2003. — P. 180—200. — ISBN 3540003673.

[17] Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) (англ.) // журнал Advanced Materials. — 2004. — P. 706. — doi:10.1002/adma.200306467.

[prop-18] Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 20—60. — ISBN 0127521607.

[19] Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres (англ.) // Journal of Materials Science. — 2006. — P. 823. — doi:10.1007/s10853-006-6566-z.

[20] Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide (англ.). — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — P. 260. — doi:10.1021/cm00027a007.

[21] Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments (англ.). — Imperial College Press, 2006. — P. 3. — ISBN 1860946240.

[jap-22] Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies (англ.). — Journal of Applied Physics, 1994. — P. 1363. — doi:10.1063/1.358463.

[muranaka-23] Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide (англ.). — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204.

[24] Карбид кремния / под ред. Г. Хенита и Р. Рол, пер. с англ. — М.: Мир, 1972. — 349 с., с ил. — С. 119—128.

[25] Г. Г. Гнесин. Карбидокремниевые материалы. — М.: Металлургия, 1977. — 216 с., с ил.

[autogenerated2-26] Properties of Silicon Carbide (SiC) (англ.). Ioffe Institute. Дата обращения: 6 июня 2009. Архивировано 24 апреля 2012 года.

[autogenerated3-27] Yoon-Soo Park, Willardson, Eicke R. Weber. SiC materials and devices (англ.). — Academic Press, 1998. — P. 1—18. — ISBN 0127521607.

[baliga-28] Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.). — IEEE Transactions on Electron Devices, 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.

[kriener-29] Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Iss. 9. — P. 044205. — doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205.

[30] Важнейшие соединения кремния (рус.). Дата обращения: 24 мая 2010. Архивировано 13 октября 2007 года.

[Рабинович-31] Рабинович, В. А. Кремния карбид // Краткий химический справочник / В. А. Рабинович, З. Я. Хавин. — Л. : Химия, 1977. — С. 74.

[32] А. М. Голуб. Общая и неорганическая химия = Загальна та неорганична хімія. — Вища школа, 1971. — С. 227. — 443 с. — 6700 экз.

[33] Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759 (англ.).

[34] Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites (англ.). — Springer, 2005. — P. 312. — ISBN 1402081332.

[35] Ceramics for turbine engines (англ.). Архивировано 6 апреля 2009.

[36] Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight (англ.). Future Firepower. Архивировано 24 апреля 2012 года.

[37] Top 10 Fast Cars (англ.). Архивировано из оригинала 26 августа 2009 года.

[38] O'Sullivan, D.; Pomeroy, M. J.; Hampshire, S.; Murtagh, M. J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits (англ.) // MRS proceedings. — 2004. — Iss. 19. — P. 2913—2921. — doi:10.1557/JMR.2004.0373.

[39] Whitaker, Jerry C. The electronics handbook (англ.). — CRC Press, 2005. — P. 1108. — ISBN 0849318890.

[autogenerated1-40] Bhatnagar, M.; Baliga, B. J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices (англ.) // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1993. — Iss. 3. — P. 645—655. — doi:10.1109/16.199372. Архивировано 1 сентября 2010 года.

[41] Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention (англ.) // Nature : Журнал. — 2004-08-26. — Iss. 430. — P. 974—975. — doi:10.1038/430974a.

[42] Yellow SiC LED (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.

[LED-43] Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes (англ.). — Academic Press, 1997. — P. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.

[44] The largest telescope mirror ever put into space (англ.). European Space Agency. Архивировано 19 октября 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.

[45] Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope (англ.) // Journal Proc. SPIE. — P. 263. Архивировано 1 октября 2017 года.

[46] Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames (англ.). NASA. Архивировано 15 марта 2012. Дата обращения: 3 мая 2010.

[47] Maun, Jignesh D.; Sunderland, P. B.; Urban, D. L. Thin-filament pyrometry with a digital still camera (англ.) // Applied Optics. — 2007. — Iss. 4. — P. 483. — doi:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.

[48] Yeshvant V. Deshmukh. Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383—393. — ISBN 0849334055.

[49] López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties (англ.) // Journal of Nuclear Materials : журнал. — 2009. — P. 219. — doi:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013.

[50] Moissanite vs. Diamond: What’s the Difference? Архивная копия от 25 июня 2024 на Wayback Machine (англ.)

[51] What is moissanite? Архивная копия от 25 июня 2024 на Wayback Machine (англ.)

[don-52] O'Donoghue, M. Gems (англ.). — Elsevier. — 2006. — P. 89. — ISBN 0-75-065856-8.

[53] Silicon carbide (steel industry) (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.

[54] Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts : heterogeneous catalysts : [англ.]. — CRC Press, 2000. — P. 258. — ISBN 0849394171.

[55] Singh, S. K. High surface area silicon carbide from rice husk : A support material for catalysts : [англ.] / S. K. Singh, K. M. Parida, B. C. Mohanty … [et al.] // Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — Vol. 54. — P. 29–34. — doi:10.1007/BF02071177.

[56] de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics (англ.). — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381. (недоступная ссылка)

[57] de Heer, Walt A. Epitaxial graphene (англ.) // Solid State Communications. — 2007. — P. 92. — doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023. Архивировано из оригинала 9 декабря 2008 года.

[58] Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства (рус.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — doi:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233. Архивировано 14 декабря 2012 года.

[59] 212. К. А. Сарайкина, В. А. Шаманов Дисперсное армирование бетонов // Вестник ПГТУ. Урбанистика. 2011. № 2.