Википедия

Искусственный алмаз

17 Июл, 2025 / 14:30

Синтетические алмазы или искусственные алмазы (также известные как алмазы, созданные в лаборатории или лабораторно выращенные алмазы (англ. laboratory-grown diamonds (LGD))) — это алмазы, получаемые в результате искусственного процесса, в отличие от натуральных алмазов, создаваемых в результате геологических процессов.

image
Несколько синтетических алмазов (HPHT)

Около 97 % алмазов (по массе), используемых в промышленности, — синтетические.

Терминология

Синтетические алмазы также широко известны под именами HPHT-алмазы или CVD-алмазы, названные так в честь двух популярных методов производства синтетических алмазов. HPHT расшифровывается как high-pressure high-temperature («высокие давление и температура»), а CVD — chemical vapor deposition («химическое осаждение из пара»).

Термин «синтетические» считается достаточно неудачным. Федеральная торговая комиссия США предложила альтернативные термины: «выращенные в лаборатории», «созданные в лаборатории», и «созданные [название_производителя]». По их словам, эти термины «будут точнее выражать происхождение камня», так как термин «синтетические» обычно ассоциируется у потребителей с продуктами, имитирующими оригинал, тогда как произведённые искусственно алмазы являются аутентичными (то есть чистым углеродом, кристаллизованным в трёхмерной изотропической форме).

История

Множество заявлений о синтезе алмазов было задокументировано между 1879 и 1928 годами; большинство этих заявлений было тщательно проанализировано, но ни одно из них так и не подтвердилось. Самые ранние заявления были сделаны Джеймсом Баллантайном Ханнеем в 1879 году и Анри Муассаном в 1893 году. Их метод включал нагревание древесного угля при температуре до 3500 °C (6330 °F) с железом внутри углеродного тигля в печи. В 1939 году советский учёный Овсей Лейпунский вычислил необходимые для успешного исхода опытов величины давления: минимум 60 000 атмосфер. В 1972 году ему был выдан диплом на открытие закономерности образования алмазов с приоритетом, датированным августом 1939 года. В 1940-х в США, Швеции и СССР начались систематические исследования по выращиванию алмазов с помощью методов CVD и HPHT. Эти два метода и по сей день доминируют в производстве синтетических алмазов.

Впервые воспроизводимый синтез был выполнен в 1953 году: шведский учёный Бальцар фон Платен сконструировал установку, в которой кубический образец сжимался шестью поршнями с разных сторон. 15 сентября 1953 года на ней были получены первые в мире искусственные алмазы.

Новый метод, известный как синтез с подрывом, стал использоваться в конце 1990-х. В основе данного метода лежит образование нанометровых песчинок алмаза при подрыве взрывчатки, содержащей углерод. Ещё один метод базируется на обработке графита высокомощным ультразвуком — он был продемонстрирован в лабораторных условиях, но пока не нашёл коммерческого успеха.

Опрос крупнейшего в США свадебного интернет-портала Knot показал, что в 2024 году более половины пар (52%) выбрали помолвочное кольцо с искусственным бриллиантом. Такие результаты были получены впервые, так в 2019 году доля колец с искусственными бриллиантами составляла 12%. По данным Совета по натуральным алмазам (англ. Natural Diamond Council) на свадебные кольца приходится более трети мирового спроса на ювелирные изделия с бриллиантами. По расчетам De Beers, больше половины продаж ювелирных изделий с бриллиантами приходится на США.

Технологии производства

Для производства искусственных алмазов используется несколько технологий. Исторически первый, и основной на сегодня, благодаря относительно невысокой стоимости — использование высокого давления и высокой температуры (high pressure high temperature — HPHT). Оборудование для этого метода — многотонные прессы, которые могут развивать давление до 5 ГПа при 1500 °C. Второй метод — химическое осаждение из газовой фазы (chemical vapor deposition — CVD), когда над подложкой создаётся плазма из атомов углерода, из которой атомы постепенно конденсируются на поверхность, образуя алмаз. Третий метод использует формирование наноразмерных алмазов при помощи ударной волны от взрывчатки.

Высокое давление, высокая температура

image
Схематичный рисунок пресса

В HPHT методе используются три вида компоновки прессов: ленточный пресс, кубический пресс и пресс с разрезной сферой. Затравки алмазов помещаются на дно капсулы, помещаемой в пресс. В прессе под давлением капсулу нагревают до температуры выше 1400 °C, и металл-растворитель плавится. Расплавленный металл растворяет углерод, также заложенный в капсулу, и позволяет перемещаться атомам углерода к затравкам, благодаря чему затравки растут, формируя большие алмазы.

В оригинальном изобретении GE, сделанном Трейси Холлом (Tracy Hall), использовался ленточный пресс, где верхняя и нижняя наковальни сдавливали цилиндрическую ячейку. Давление внутри ячейки в радиальном направлении поддерживалось за счёт пояса из предварительно напряжённых стальных лент, опоясывающих цилиндрическую капсулу. Наковальни также служили электродами, пропускающими ток через сжимаемую капсулу. Некоторые варианты этого пресса используют гидравлическое давление вместо стальных лент для поддержания давления в радиальном направлении. Ленточные прессы всё ещё используются, но имеют значительно большие габариты, нежели оригинальная конструкция.

Второй тип прессов — кубические. Они используют шесть наковален для сжатия рабочего объёма, имеющего форму куба. Первым вариантом пресса с несколькими наковальнями был пресс — тетраэдр, сжимающий рабочий объём при помощи четырёх наковален. Кубические прессы появились очень быстро как результат попыток увеличить рабочий объём по сравнению с ленточными прессами. Кубические прессы, как правило, имеют меньшие габариты по сравнению с ленточными и быстрее выходят на рабочие режимы по давлению и температуре, необходимые для получения синтетических алмазов. Тем не менее кубические прессы не так просто увеличить для увеличения рабочего объёма. Увеличение рабочего объёма повлечёт увеличение размера наковален, которое повлечёт увеличение силы, прикладываемой к наковальне для получения прежнего давления. Возможным решением может быть уменьшение отношения наружной и внутренней площади наковальни за счёт использования рабочего объёма иной формы, например, додекаэдра. Но такие прессы будут сложнее и дороже в производстве.

image
Схема системы BARS

Третий, наиболее совершенный тип прессов для выращивания алмазов — БАРС (Беспрессовая Аппаратура высокого давления «Разрезная Сфера»). Разработан в 1989—1991 гг. учёными из Института геологии и минералогии им. В. С. Соболева сибирского отделения РАН. Прессы этой конструкции наиболее компактные, эффективные, экономичные из всех установок для выращивания алмазов. В центр устройства помещается керамическая цилиндрическая капсула объёмом около 2 см3, в которой синтезируется алмаз. Капсула окружается передающей давление керамикой на базе пирофиллита, которая сжимается пуансонами первой ступени из твёрдого материала, например, карбида вольфрама или сплава ВК10. Восьмигранная сборка пуансонов первой ступени сжимается при помощи восьми стальных пуансонов второй ступени. После сборки конструкция заключается между двух полусфер диаметром около метра, фиксируемых вместе полумуфтами. Зазор между полусферами и стальными пуансонами заполняется гидравлическим маслом под давлением, передавая усилие через пуансоны к капсуле. Капсула нагревается при помощи встроенного коаксиального графитового нагревателя, а температура контролируется при помощи термопары.

Химическое осаждение из газовой фазы

image
Алмазный монокристаллический диск, полученный по технологии химического осаждения из газовой фазы. Диаметр диска — около 9 см, толщина — около 1,5 мм, масса — 155 карат (31 грамм)

Химическое осаждение из газовой фазы — это метод получения алмазов, в котором алмаз растёт за счёт осаждения углерода на затравку из водород-углеродной газовой смеси. Данный способ активно прорабатывался научными группами в мире с 1980-х. В то время как HPHT процесс используется в промышленности для серийного производства алмазов, простота и гибкость CVD-технологии обусловили популярность этого метода в лабораториях. При выращивании алмазов по технологии осаждения из газовой фазы можно тонко контролировать химический состав включений в итоговый продукт, выращивать алмазные плёнки на заготовках большой площади. В отличие от HPHT, CVD-процесс не требует высокого давления — процесс роста происходит при давлениях менее 27 кПа.

CVD-процесс включает в себя подготовку подложки, заполнение рабочей камеры смесью газов и их последующее возбуждение. Процесс подготовки подложки включает в себя поиск подходящего материала и правильную ориентацию его кристаллографической плоскости, его очистку, часто включает в себя шлифовку алмазными порошками, подбор оптимальной температуры подложки (около 800 °C). Газовая атмосфера всегда содержит источник углерода (обычно метан) и водород, часто в соотношении 1 к 99. Водород необходим, так как селективно переводит углерод в неалмазном состоянии в газообразное соединение. Газовая смесь в рабочей камере ионизируется для образования химически активных радикалов при помощи микроволнового излучения, электрической дуги, лазером или каким-либо другим способом.

В процессе роста материал рабочей камеры может протравливаться плазмой, что приводит к загрязнению растущего алмаза. Так, CVD-алмазы очень часто содержат загрязнения из кремния от смотровых окон рабочей камеры. По этой причине в конструкциях рабочих камер избегают кварцевых окошек или выносят их подальше от подложки. Также наличие следовых количеств бора делает невозможным выращивание чистых алмазов.

Детонация взрывчатки

image
Электронная микрофотография детонационных наноалмазов
См. также: Наноалмаз

Алмазные нанокристаллы (5 нм) в диаметре могут быть сформированы при детонации подходящей углерод-содержащей взрывчатки в металлической камере. Во время взрыва создаётся высокое давление и высокая температура, которой достаточно для превращения углерода из взрывчатки в алмаз. Сразу после взрыва камеру со взрывчаткой погружают в воду, это подавляет переход алмазов в более стабильный графит. В одном из вариантов этой технологии металлическая трубка заполняется порошком графита и помещается внутрь камеры, заполненной взрывчаткой. Нагрев и давление, развиваемое от взрыва, достаточны для превращения графита в алмаз. Финальный продукт всегда заключён в графите и других неалмазных формах графита, поэтому требует длительного кипячения в азотной кислоте (около суток при 250 °C) для извлечения. Полученные таким образом алмазные порошки используются в основном как абразив. Основные производители — Китай, Россия, Белоруссия. Поступление на рынок в больших количествах началось приблизительно с начала 2000-х.

Ультразвуковая кавитация

Алмазные кристаллы микронного размера могут быть получены при нормальных условиях в суспензии графита в органическом растворителе при воздействии ультразвуковой кавитации. В алмазы превращается до 10 % исходного графита. Себестоимость получения алмазов таким способом сопоставима с HPHT-процессом, но качество получаемых алмазов — заметно хуже. Эта методика синтеза алмазов очень простая, но результаты были получены всего двумя научными группами, и методика пока не имеет промышленного воплощения. На процесс влияет множество параметров, включая подготовку графитовой суспензии, подбор растворителя, источника и режима ультразвуковых колебаний, оптимизация которых может значительно улучшить и удешевить эту технологию получения алмазов.

Свойства

Традиционно отсутствие кристаллических дефектов — важнейший показатель качества алмаза. Чистота и отсутствие дефектов делают алмаз прозрачным, чистым, а в совокупности с его твёрдостью, химической стойкостью, высокой оптической дисперсией делают алмаз популярным ювелирным камнем. Высокая теплопроводность алмаза важное качество для технических применений. Если высокая оптическая дисперсия характерна для всех алмазов, то остальные его качества зависят от того, в каких условиях он был сделан.

Кристаллическая структура

Алмаз может быть одним большим кристаллом (монокристалл), а может состоять из множества сросшихся кристалликов (поликристалл). Большие, бездефектные монокристаллы алмаза обычно пользуются спросом как ювелирные камни. Поликристаллические алмазы, состоящие из множества зерен, хорошо видимых по рассеянию и поглощению света невооружённым глазом, используются в промышленности как режущий инструмент. Поликристаллические алмазы часто классифицируют по среднему размеру зерна в кристалле, который может варьироваться от нанометров до микрометров.

Твёрдость

Синтетические алмазы — самое твёрдое из известных веществ, если под твёрдостью понимать сопротивление вдавливанию. Твёрдость синтетических алмазов зависит от чистоты, наличия дефектов в кристаллической решетке и её ориентации, достигая максимальной в направлении 111. Твёрдость нанокристаллических алмазов, полученных в CVD-процессе, может составлять от 30 % до 70 % от твёрдости монокристалла алмаза, и контролируется в процессе выращивания в зависимости от требуемого. Некоторые синтетические монокристаллы алмаза и HPHT-нанокристаллические алмазы твёрже всех известных природных алмазов.

Примеси и включения

Каждый алмаз содержит примеси из атомов, отличных от углерода, в количествах, достаточных для определения аналитическими методами. Атомы примесей могут собираться в макроколичества, формируя включения. Примесей обычно избегают, но они могут быть введены намеренно для изменения определённых свойств алмаза. Выращивание алмазов в жидкой среде из металла-растворителя приводит к формированию примесей из переходных металлов (никель, железо, кобальт), которые влияют на электронные свойства алмаза.

Чистый алмаз является диэлектриком, но небольшая добавка бора делает его электрическим проводником, а при некоторых условиях — даже сверхпроводником, что позволяет использовать его в электронных приложениях. Включения азота препятствует движению дислокаций в кристаллической решетке и увеличивают её напряжённость, тем самым повышая твёрдость и вязкость.

Теплопроводность

В отличие от большинства изоляторов, алмаз имеет хорошую теплопроводность из-за сильных ковалентных связей в кристалле. Теплопроводность чистого алмаза наиболее высокая из всех известных. Монокристалл синтетического алмаза, состоящий из 12
C (99,9 %) изотопа, имеет теплопроводность 30 Вт/см·K при комнатной температуре, что в 7,5 раз больше, чем у меди. У природных кристаллов алмаза теплопроводность на 1,1 % ниже из-за примеси изотопа , вносящего искажения в кристаллическую решетку.

Теплопроводность алмаза используется ювелирами для отделения алмазов от их имитаций. Камня касаются специальным медным щупом, имеющем на конце миниатюрный нагреватель и термодатчик. Если алмаз настоящий, он быстро отведёт тепло от нагревателя, что вызовет заметное падение температуры, фиксируемое термодатчиком. Такой тест занимает всего 2-3 секунды.

Применение

Режущий инструмент

image
Алмазы на пластинах шлифовального диска

Большинство промышленных применений синтетических алмазов связано именно с их твёрдостью в качестве сверхтвёрдого режущего инструмента, абразивных порошков, полировальных паст, инденторов для выглаживания. Благодаря твёрдости, превосходящей любой известный материал, алмазы используются для шлифовки любых материалов, даже при огранке самих алмазов. Это самая большая по объёму ниша использования алмазов в промышленности. Хоть природные алмазы тоже могут использоваться для этих целей, синтетические, полученные по HPHT-процессу, популярнее в силу большей однородности свойств и меньшему разбросу параметров. Алмазы непригодны для высокоскоростной обработки стали — при высоких температурах в месте реза углерод из алмаза растворяется в железе, что приводит к ускоренному износу инструмента. Для высокоскоростной обработки сталей используют другие сплавы (ВК8, кубический нитрид бора и т. д.).

Обычно алмазный инструмент имеет спечённое покрытие, в котором микронные зёрна алмаза диспергированы в металлической матрице (обычно в кобальте). По мере износа металлическая матрица обнажает все новые и новые зёрна алмаза. Несмотря на работы на протяжении нескольких лет по покрытию инструмента алмазным и алмазоподобным слоем (DLC) при помощи CVD-процесса, эта технология не смогла существенно вытеснить классические поликристаллические зёрна алмаза в металлической матрице в инструменте.

Теплопроводники

Большинство материалов с высокой теплопроводностью обладает также хорошей электропроводностью. Особняком выделяется алмаз, несмотря на огромную теплопроводность, он обладает незначительной электропроводностью. Это сочетание свойств позволяет использовать алмаз как теплоотвод для мощных лазерных диодов, массивов таких диодов или мощных транзисторов. Эффективный отвод тепла увеличивает срок службы электронных устройств, а дороговизна ремонта и замены таких устройств компенсирует дороговизну от использования алмазов в конструкции теплоотвода. (англ. heat spreader) из синтетических алмазов предотвращают перегрев кремния и других полупроводниковых материалов.

Оптические материалы

Алмаз твёрдый, химически инертный, обладает высокой теплопроводностью при невысоком линейном коэффициенте расширения, что делает его идеальным материалом для окон вывода инфракрасного и микроволнового излучения. Синтетический алмаз стал вытеснять селенид цинка в качестве выходных окон в мощных CO2 лазерах и гиротронах. Эти синтетические поликристаллические алмазные окна имеют форму дисков большого диаметра (порядка 10 см для гиротронов) и небольшую толщину (для снижения поглощения) и производятся по методу CVD.. Единичные кристаллы в виде пластинок размером до 10 мм становятся важными в использовании в некоторых оптических приложениях, включая теплораспределители в лазерных резонаторах, дифракционной оптике и рабочее тело оптических усилителей в рамановских лазерах. Современные улучшения в HPHT- и CVD-синтезе позволили достаточно повысить чистоту и правильность кристаллографической структуры монокристаллов для вытеснения кремния в дифракционных решетках и материала для окон в высокомощных источниках излучения, например, в синхротронах. Алмазы, полученные как по CVD-процессу, так и по HPHT-технологии, используются для создания алмазных наковален для изучения свойств веществ при сверхвысоких давлениях.

Электроника

Синтетический алмаз потенциально может использоваться как полупроводник, так как может легироваться примесями из бора и фосфора. Поскольку эти элементы содержат больше или меньше валентных электронов, чем атомы алмаза, формируются зоны p- и n-проводимости, формируя pn переход. На базе такого pn-перехода были построены светодиоды с длиной выходного УФ-излучения 235 нм. Другое полезное для использовании в электронике свойство синтетического алмаза — высокая подвижность электронов, которая может достигать 4500 см2/(В·с) для электронов в монокристалле CVD-алмаза. Высокая подвижность электронов востребована в высокочастотной технике, продемонстрирована возможность создания полевого транзистора из алмаза с рабочей частотой до 50 ГГц. Широкая запрещённая зона алмаза (5,5 эВ) придаёт отличные диэлектрические свойства. В сумме с отличными механическими свойствами на базе алмазов построены прототипы мощных силовых транзисторов для электростанций.

Транзисторы на основе синтетических алмазов изготавливаются в лабораториях, но до сих пор нет ни одного коммерческого устройства на их базе. Алмазные транзисторы весьма многообещающие — они могут работать при более высокой температуре, чем кремниевые, сопротивляться радиационному и механическому повреждению.

Синтетические алмазы уже используются в детекторах излучений. Их радиационная стойкость вкупе с широкой запрещённой зоной (5,5 эВ) делает их интересным материалом для детекторов. Выгодное отличие относительно других полупроводников — отсутствие стабильного оксида. Это делает невозможным создание КМОП-структур, но зато делает возможным работу с УФ-излучениями без проблем с поглощением излучения в окисной плёнке. Алмазы используются в детекторах BaBar на стенфордском линейном ускорителе и BOLD (Blind to the Optical Light Detectors for solar observations). Алмазные VUV-детекторы использовались недавно в европейской программе .

Ювелирные камни

image
Бесцветный бриллиант, вырезанный из алмаза, выращенного по CVD-технологии

Синтетические алмазы ювелирного качества получают как по HPHT-процессу, так и по CVD-процессу. Синтетические алмазы доступны в жёлтом, голубом оттенках и в частично бесцветном виде. Жёлтый окрас алмазу придают примеси азота, голубой — примеси бора. Другие цвета, такие как розовый или зелёный, доступны после обработки камня радиоактивным излучением.

На 2013-14 годы доля (по массе) синтетических алмазов в производстве алмазов для ювелирного рынка, по разным оценкам, составляла от 0,28 % до 2 %. Доля (по цене) синтетических алмазов на рынке ювелирных алмазов с 2016 по 2023 выросла в 12 раз, и на 2023 год оценивалась в 17 %, что происходило одновременно с сильным падением цены на синтетические алмазы в ювелирном производстве. В 2015—2016 синтетические алмазы стоили всего на 10-20 % меньше природных, однако с этого времени началось постоянное и сильное снижение цен, и на 2023 год синтетический бриллиант стоил уже на 90 % меньше природного.

Алмазы ювелирного качества, выращенные в лаборатории, химически, физически, оптически идентичны природным. Интересы горнодобывающих компаний для защиты рынка от синтетических алмазов продвигаются при помощи законодательных, маркетинговых мер, а также защиты дистрибуции. Синтетические алмазы могут быть обнаружены при помощи инфракрасной, ультрафиолетовой, рентгеновской спектроскопии. Тестер DiamondView от компании De Beers использует УФ-флуоресценцию для обнаружения примесей азота, никеля и других веществ, характерных для алмазов, полученных по CVD- и HPHT-технологиям.

Как минимум одна лаборатория, выращивающая алмазы, объявила о том, что они маркируют свои алмазы при помощи нанесения номера на камень лазером. На сайте компании приведён пример такой маркировки в виде надписи « created» и серийного номера с префиксом «LG» (laboratory grown).

В мае 2015 г. компанией «New Diamond Technology» (Санкт-Петербург, Российская Федерация) был поставлен новый мировой рекорд — получен бесцветный бриллиант массой 10,02 карата, выращенный по технологии HPHT, вырезанный из заготовки массой 32,2 карата, выращивавшийся в течение 300 часов.

Традиционная алмазодобыча критикуется за нарушение прав человека в Африке и в других местах. Голливудский фильм «Кровавый алмаз» (2006) помог публичной огласке ситуации. Потребительский спрос на синтетические алмазы вырос, так как синтетические алмазы не только дешевле, но и этически более приемлемы.

Лабораторно выращенные алмазы продаются под множеством торговых марок, одна из старейших — (ныне Pure Grown Diamonds); среди других известных марок — Blue Nile, James Allen, Grown Brilliance, Vrai, Ritani, Clean Origin, With Clarity.

Примечания

  1. Donald W. Olson. 21.2 Diamond, industrial (англ.). 2011 Minerals Yearbook. USGS (март 2013). — «synthetic diamond accounted for about 97% by weight of the industrial diamond used in the united states and about 97% by weight of the industrial diamond used in the world during 2011». Дата обращения: 17 октября 2013. Архивировано 5 марта 2016 года.
  2. Дмитрий Мамонтов Место рождения алмазов // Популярная механика. — 2016. — № 5. — С. 60—63. — URL: http://www.popmech.ru/technologies/237923-kak-vyrashchivayut-krupneyshie-v-mire-almazy-sdelano-v-rossii/ Архивная копия от 4 января 2017 на Wayback Machine
  3. 16 °C.F.R. Part 23: Guides For The Jewelry, Precious Metals, and Pewter Industries: Federal Trade Commission Letter Declining To Amend The Guides With Respect To Use Of The Term «Cultured» Архивная копия от 2 апреля 2013 на Wayback Machine, Федеральная торговая комиссия США, 21 июля, 2008.
  4. Сергей Волков. На столе лежал алмаз… // Техника — молодёжи : журнал. — 1986. — Май. — С. 9. — ISSN 0320-331X.
  5. 2.1 Синтетический алмаз // Инструменты из сверхтвёрдых материалов / Н. В. Новиков, С. А. Клименко. — 2-е. — М.: «Машиностроение», 2014. — С. 35. — 608 с. — ISBN 978-5-94275-703-8.
  6. Сергей Волков. На столе лежал алмаз… // Техника — молодёжи : журнал. — 1986. — Май. — С. 9—10. — ISSN 0320-331X.
  7. Рынок алмазов: искусственные бриллианты продолжают завоевывать сердца. Что это значит для АЛРОСА?
  8. More couples are choosing lab-grown diamonds over natural stones for engagement rings. Here's why  (англ.)
  9. The Knot 2025 Real Weddings Study  (англ.)
  10. Werner, M; Locher, R. Growth and application of undoped and doped diamond films (англ.) // [англ.] : journal. — 1998. — Vol. 61, no. 12. — P. 1665—1710. — doi:10.1088/0034-4885/61/12/002. — Bibcode: 1998RPPh...61.1665W.
  11. Osawa, E. Recent progress and perspectives in single-digit nanodiamond (англ.) // [англ.] : journal. — 2007. — Vol. 16, no. 12. — P. 2018—2022. — doi:10.1016/j.diamond.2007.08.008. — Bibcode: 2007DRM....16.2018O.
  12. Galimov, É. M.; Kudin, A. M.; Skorobogatskii, V. N.; Plotnichenko, V. G.; Bondarev, O. L.; Zarubin, B. G.; Strazdovskii, V. V.; Aronin, A. S.; Fisenko, A. V.; Bykov, I. V.; Barinov, A. Yu. Experimental Corroboration of the Synthesis of Diamond in the Cavitation Process (англ.) // [англ.] : journal. — 2004. — Vol. 49, no. 3. — P. 150—153. — doi:10.1134/1.1710678. — Bibcode: 2004DokPh..49..150G.
  13. HPHT synthesis. International Diamond Laboratories. Дата обращения: 5 мая 2009. Архивировано из оригинала 1 мая 2009 года.
  14. Barnard, p. 150
  15. Ito, E. Multianvil cells and high-pressure experimental methods, in Treatise of Geophysics (англ.) / G. Schubert. — Elsevier, Amsterdam, 2007. — Vol. 2. — P. 197—230. — ISBN 0-8129-2275-1.
  16. Hall, H. T. Ultrahigh-Pressure Research: At ultrahigh pressures new and sometimes unexpected chemical and physical events occur (англ.) // Science : journal. — 1958. — Vol. 128, no. 3322. — P. 445—449. — doi:10.1126/science.128.3322.445. — Bibcode: 1958Sci...128..445H. — PMID 17834381. — JSTOR 1756408.
  17. Loshak, M. G.; Alexandrova, L. I. Rise in the efficiency of the use of cemented carbides as a matrix of diamond-containing studs of rock destruction tool (англ.) // Int. J. Refractory Metals and Hard Materials : journal. — 2001. — Vol. 19. — P. 5—9. — doi:10.1016/S0263-4368(00)00039-1.
  18. Pal'Yanov, N.; Sokol, A.G.; Borzdov, M.; Khokhryakov, A.F. Fluid-bearing alkaline carbonate melts as the medium for the formation of diamonds in the Earth's mantle: an experimental study (англ.) // [англ.] : journal. — 2002. — Vol. 60, no. 3—4. — P. 145—159. — doi:10.1016/S0024-4937(01)00079-2. — Bibcode: 2002Litho..60..145P.
  19. Koizumi, S.; Nebel, C. E.; Nesladek, M. Physics and Applications of CVD Diamond (неопр.). — Wiley VCH, 2008. — С. 50; 200—240. — ISBN 3-527-40801-0.
  20. Barjon, J.; Rzepka, E.; Jomard, F.; Laroche, J.-M.; Ballutaud, D.; Kociniewski, T.; Chevallier, J. Silicon incorporation in CVD diamond layers (англ.) // [англ.] : journal. — 2005. — Vol. 202, no. 11. — P. 2177—2181. — doi:10.1002/pssa.200561920. — Bibcode: 2005PSSAR.202.2177B.
  21. State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XXXIX and Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics and Electronics IV: proceedings of the Electrochemical Society (англ.) / Kopf, R. F.. — The Electrochemical Society, 2003. — Vol. 2003–2011. — P. 363. — ISBN 1-56677-391-1.
  22. Iakoubovskii, K.; Baidakova, M.V.; Wouters, B.H.; Stesmans, A.; Adriaenssens, G.J.; Vul', A.Ya.; Grobet, P.J. Structure and defects of detonation synthesis nanodiamond (англ.) // [англ.] : journal. — 2000. — Vol. 9, no. 3—6. — P. 861—865. — doi:10.1016/S0925-9635(99)00354-4. — Bibcode: 2000DRM.....9..861I. Архивировано 22 декабря 2015 года.
  23. Decarli, P. and Jamieson, J.; Jamieson. Formation of Diamond by Explosive Shock (англ.) // Science. — 1961. — June (vol. 133, no. 3467). — P. 1821—1822. — doi:10.1126/science.133.3467.1821. — Bibcode: 1961Sci...133.1821D. — PMID 17818997.
  24. Dolmatov, V. Yu. Development of a rational technology for synthesis of high-quality detonation nanodiamonds (англ.) // Russian Journal of Applied Chemistry : journal. — 2006. — Vol. 79, no. 12. — P. 1913—1918. — doi:10.1134/S1070427206120019.
  25. Khachatryan, A.Kh.; Aloyan, S.G.; May, P.W.; Sargsyan, R.; Khachatryan, V.A.; Baghdasaryan, V.S. Graphite-to-diamond transformation induced by ultrasonic cavitation (англ.) // [англ.] : journal. — 2008. — Vol. 17, no. 6. — P. 931—936. — doi:10.1016/j.diamond.2008.01.112. — Bibcode: 2008DRM....17..931K.
  26. Spear and Dismukes, pp. 308—309
  27. Zoski, Cynthia G. Handbook of Electrochemistry (неопр.). — Elsevier, 2007. — С. 136. — ISBN 0-444-51958-0.
  28. Blank, V.; Popov, M.; Pivovarov, G.; Lvova, N.; Gogolinsky, K.; Reshetov, V. Ultrahard and superhard phases of fullerite C60: comparison with diamond on hardness and wear (англ.) // [англ.] : journal. — 1998. — Vol. 7, no. 2—5. — P. 427—431. — doi:10.1016/S0925-9635(97)00232-X. — Bibcode: 1998DRM.....7..427B. Архивировано 21 июля 2011 года.
  29. Neves, A. J.; Nazaré, M. H. Properties, Growth and Applications of Diamond (англ.). — IET, 2001. — P. 142—147. — ISBN 0-85296-785-3.
  30. Sumiya, H. Super-hard diamond indenter prepared from high-purity synthetic diamond crystal (англ.) // [англ.] : journal. — 2005. — Vol. 76, no. 2. — P. 026112—026112—3. — doi:10.1063/1.1850654. — Bibcode: 2005RScI...76b6112S.
  31. Yan, Chih-Shiue; Mao, Ho-Kwang; Li, Wei; Qian, Jiang; Zhao, Yusheng; Hemley, Russell J. Ultrahard diamond single crystals from chemical vapor deposition (англ.) // [англ.] : journal. — 2005. — Vol. 201, no. 4. — P. R25. — doi:10.1002/pssa.200409033. — Bibcode: 2004PSSAR.201R..25Y.
  32. Larico, R.; Justo, J. F.; Machado, W. V. M.; Assali, L. V. C. Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond (англ.) // Physical Review B : journal. — 2009. — Vol. 79, no. 11. — P. 115202. — doi:10.1103/PhysRevB.79.115202. — Bibcode: 2009PhRvB..79k5202L. — arXiv:1208.3207.
  33. Assali, L. V. C.; Machado, W. V. M.; Justo, J. F. 3d transition metal impurities in diamond: electronic properties and chemical trends (англ.) // Physical Review B : journal. — 2011. — Vol. 84, no. 15. — P. 155205. — doi:10.1103/PhysRevB.84.155205. — Bibcode: 2011PhRvB..84o5205A. — arXiv:1307.3278.
  34. Ekimov, E. A.; Sidorov, V. A.; Bauer, E. D.; Mel'Nik, N. N.; Curro, N. J.; Thompson, J. D.; Stishov, S. M. Superconductivity in diamond (англ.) // Nature. — 2004. — Vol. 428, no. 6982. — P. 542—545. — doi:10.1038/nature02449. — Bibcode: 2004Natur.428..542E. — arXiv:cond-mat/0404156. — PMID 15057827. Архивировано 7 июня 2011 года.
  35. Catledge, S. A.; Vohra, Yogesh K. Effect of nitrogen addition on the microstructure and mechanical properties of diamond films grown using high-methane concentrations (англ.) // Journal of Applied Physics : journal. — 1999. — Vol. 86. — P. 698. — doi:10.1063/1.370787. — Bibcode: 1999JAP....86..698C.
  36. Wei, Lanhua; Kuo, P.; Thomas, R.; Anthony, T.; Banholzer, W. Thermal conductivity of isotopically modified single crystal diamond (англ.) // Phys. Rev. Lett. : journal. — 1993. — Vol. 70, no. 24. — P. 3764—3767. — doi:10.1103/PhysRevLett.70.3764. — Bibcode: 1993PhRvL..70.3764W. — PMID 10053956.
  37. Wenckus, J. F. (December 18, 1984) «Method and means of rapidly distinguishing a simulated diamond from natural diamond» U.S. Patent 4 488 821
  38. Holtzapffel, C. Turning And Mechanical Manipulation (неопр.). — [англ.], 1856. — С. 176—178. — ISBN 1-879335-39-5.
  39. Coelho, R.T.; Yamada, S.; Aspinwall, D.K.; Wise, M.L.H. The application of polycrystalline diamond (PCD) tool materials when drilling and reaming aluminum-based alloys including MMC (англ.) // International Journal of Machine Tools and Manufacture : journal. — 1995. — Vol. 35, no. 5. — P. 761—774. — doi:10.1016/0890-6955(95)93044-7.
  40. Ahmed, W.; Sein, H.; Ali, N.; Gracio, J.; Woodwards, R. Diamond films grown on cemented WC-Co dental burs using an improved CVD method (англ.) // [англ.] : journal. — 2003. — Vol. 12, no. 8. — P. 1300—1306. — doi:10.1016/S0925-9635(03)00074-8. — Bibcode: 2003DRM....12.1300A.
  41. Sakamoto, M.; Endriz, J. G.; Scifres, D. R. 120 W CW output power from monolithic AlGaAs (800 nm) laser diode array mounted on diamond heatsink (англ.) // [англ.] : journal. — 1992. — Vol. 28, no. 2. — P. 197—199. — doi:10.1049/el:19920123.
  42. Ravi, Kramadhati V. et al. (August 2, 2005) «Diamond-silicon hybrid integrated heat spreader» U.S. Patent 6 924 170
  43. Harris, D. C. Materials for infrared windows and domes: properties and performance (англ.). — SPIE Press, 1999. — P. 303—334. — ISBN 0-8194-3482-5.
  44. The diamond window for a milli-wave zone high power electromagnetic wave output (англ.) // New Diamond : journal. — 1999. — Vol. 15. — P. 27. — ISSN 1340-4792.
  45. Nusinovich, G. S. Introduction to the physics of gyrotrons (неопр.). — JHU Press, 2004. — С. 229. — ISBN 0-8018-7921-3.
  46. Mildren, Richard P.; Sabella, Alexander; Kitzler, Ondrej; Spence, David J. and McKay, Aaron M. Ch. 8 Diamond Raman Laser Design and Performance // Optical Engineering of Diamond (неопр.) / Mildren, Rich P. and Rabeau, James R.. — Wiley. — С. 239—276. — ISBN 978-352764860-3. — doi:10.1002/9783527648603.ch8.
  47. Khounsary, Ali M.; Smither, Robert K.; Davey, Steve; Purohit, Ankor; Smither; Davey; Purohit. Diamond Monochromator for High Heat Flux Synchrotron X-ray Beams (англ.) // Proc. SPIE : journal / Khounsary, Ali M.. — 1992. — Vol. High Heat Flux Engineering. — P. 628—642. — doi:10.1117/12.140532. — Bibcode: 1993SPIE.1739..628K. Архивировано 17 сентября 2008 года.
  48. Heartwig, J. Diamonds for Modern Synchrotron Radiation Sources. European Synchrotron Radiation Facility (13 сентября 2006). Дата обращения: 5 мая 2009. Архивировано из оригинала 24 марта 2015 года.
  49. Jackson, D. D.; Aracne-Ruddle, C.; Malba, V.; Weir, S. T.; Catledge, S. A.; Vohra, Y. K. Magnetic susceptibility measurements at high pressure using designer diamond anvils (англ.) // [англ.] : journal. — 2003. — Vol. 74, no. 4. — P. 2467. — doi:10.1063/1.1544084. — Bibcode: 2003RScI...74.2467J.
  50. Denisenko, A. and Kohn, E.; Kohn. Diamond power devices. Concepts and limits (англ.) // [англ.] : journal. — 2005. — Vol. 14, no. 3—7. — P. 491—498. — doi:10.1016/j.diamond.2004.12.043. — Bibcode: 2005DRM....14..491D.
  51. Koizumi, S.; Watanabe, K; Hasegawa, M; Kanda, H. Ultraviolet Emission from a Diamond pn Junction (англ.) // Science. — 2001. — Vol. 292, no. 5523. — P. 1899—1901. — doi:10.1126/science.1060258. — Bibcode: 2001Sci...292.1899K. — PMID 11397942.
  52. Isberg, J.; Hammersberg, J; Johansson, E; Wikström, T; Twitchen, DJ; Whitehead, AJ; Coe, SE; Scarsbrook, G. A. High Carrier Mobility in Single-Crystal Plasma-Deposited Diamond (англ.) // Science : journal. — 2002. — Vol. 297, no. 5587. — P. 1670—1672. — doi:10.1126/science.1074374. — Bibcode: 2002Sci...297.1670I. — PMID 12215638.
  53. Russell, S. A. O.; Sharabi, S.; Tallaire, A.; Moran, D. A. J. Hydrogen-Terminated Diamond Field-Effect Transistors With Cutoff Frequency of 53 GHz (англ.) // IEEE Electron Device Letters : journal. — 2012. — 1 October (vol. 33, no. 10). — P. 1471—1473. — doi:10.1109/LED.2012.2210020. — Bibcode: 2012IEDL...33.1471R.
  54. Ueda, K.; Kasu, M.; Yamauchi, Y.; Makimoto, T.; Schwitters, M.; Twitchen, D. J.; Scarsbrook, G. A.; Coe, S. E. Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz (англ.) // IEEE Electron Device Letters : journal. — 2006. — 1 July (vol. 27, no. 7). — P. 570—572. — doi:10.1109/LED.2006.876325. — Bibcode: 2006IEDL...27..570U.
  55. Isberg, J.; Gabrysch, M.; Tajani, A.; Twitchen, D.J. High-field Electrical Transport in Single Crystal CVD Diamond Diodes (англ.) // Advances in Science and Technology : journal. — 2006. — Vol. 48. — P. 73—76. — doi:10.4028/www.scientific.net/AST.48.73.
  56. Railkar, T. A.; Kang, W. P.; Windischmann, Henry; Malshe, A. P.; Naseem, H. A.; Davidson, J. L.; Brown, W. D. A critical review of chemical vapor-deposited (CVD) diamond for electronic applications (англ.) // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences : journal. — 2000. — Vol. 25, no. 3. — P. 163—277. — doi:10.1080/10408430008951119. — Bibcode: 2000CRSSM..25..163R.
  57. Salisbury, David (August 4, 2011) «Designing diamond circuits for extreme environments» Архивная копия от 18 ноября 2011 на Wayback Machine, Vanderbilt University Research News. Retrieved May 27, 2015.
  58. Bucciolini, M.; Borchi, E; Bruzzi, M; Casati, M; Cirrone, P; Cuttone, G; Deangelis, C; Lovik, I; Onori, S; Raffaele, L.; Sciortino, S. Diamond dosimetry: Outcomes of the CANDIDO and CONRADINFN projects (англ.) // [англ.] : journal. — 2005. — Vol. 552. — P. 189—196. — doi:10.1016/j.nima.2005.06.030. — Bibcode: 2005NIMPA.552..189B.
  59. Blind to the Optical Light Detectors. Royal Observatory of Belgium. Дата обращения: 5 мая 2009. Архивировано 21 июня 2009 года.
  60. Benmoussa, A; Soltani, A; Haenen, K; Kroth, U; Mortet, V; Barkad, H A; Bolsee, D; Hermans, C; Richter, M; De Jaeger, J C; Hochedez, J F. New developments on diamond photodetector for VUV Solar Observations (англ.) // [англ.] : journal. — 2008. — Vol. 23, no. 3. — P. 035026. — doi:10.1088/0268-1242/23/3/035026. — Bibcode: 2008SeScT..23c5026B.
  61. Abbaschian, Reza; Zhu, Henry; Clarke, Carter. High pressure-high temperature growth of diamond crystals using split sphere apparatus (англ.) // Diam. Rel. Mater. : journal. — 2005. — Vol. 14, no. 11—12. — P. 1916—1919. — doi:10.1016/j.diamond.2005.09.007. — Bibcode: 2005DRM....14.1916A.
  62. Yarnell, Amanda. The Many Facets of Man-Made Diamonds (англ.) // [англ.] : journal. — American Chemical Society, 2004. — 2 February (vol. 82, no. 5). — P. 26—31. — doi:10.1021/cen-v082n005.p026. Архивировано 28 октября 2008 года.
  63. Burns, R. C.; Cvetkovic, V. and Dodge, C. N.; Cvetkovic; Dodge; Evans; Rooney. Growth-sector dependence of optical features in large synthetic diamonds (англ.) // Journal of Crystal Growth : journal. — 1990. — Vol. 104, no. 2. — P. 257—279. — doi:10.1016/0022-0248(90)90126-6. — Bibcode: 1990JCrGr.104..257B.
  64. Walker, J. Optical absorption and luminescence in diamond (англ.) // [англ.] : journal. — 1979. — Vol. 42, no. 10. — P. 1605—1659. — doi:10.1088/0034-4885/42/10/001. — Bibcode: 1979RPPh...42.1605W.
  65. Collins, A.T.; Connor, A.; Ly, C-H.; Shareef, A.; Spear, P.M. High-temperature annealing of optical centers in type-I diamond (англ.) // Journal of Applied Physics : journal. — 2005. — Vol. 97, no. 8. — P. 083517. — doi:10.1063/1.1866501. — Bibcode: 2005JAP....97h3517C.
  66. Synthetic Diamonds – Promoting Fair Trade. gjepc.org. The Gem & Jewellery Export Promotion Council. Дата обращения: 12 февраля 2016. Архивировано 13 июля 2014 года.
  67. How High Quality Synthetic Diamonds Will Impact the Market (12 июля 2013). Дата обращения: 17 декабря 2024.
  68. How 2023 became the year of the lab-grown diamond. CNN. 26 октября 2023. Дата обращения: 17 декабря 2024.
  69. Zimnisky, Paul. A New Diamond Industry (англ.). Mining Journal (London). (9 января 2017). Дата обращения: 31 декабря 2017. Архивировано 13 января 2017 года.
  70. The lab-grown diamond boom is over. Insider Inc. 1 ноября 2024. Дата обращения: 17 декабря 2024.
  71. De Beers pleads guilty in price fixing case (англ.). Associated Press via MSNBC.com. 13 июля 2004. Архивировано 5 ноября 2012. Дата обращения: 27 мая 2015.
  72. Pressler, Margaret Webb (14 июля 2004). DeBeers Pleads to Price-Fixing: Firm Pays $10 million, Can Fully Reenter U.S. Washington Post (англ.). Архивировано 12 ноября 2012. Дата обращения: 26 ноября 2008.
  73. O’Donoghue, p. 115
  74. Laboratory Grown Diamond Report Архивная копия от 21 октября 2012 на Wayback Machine for Gemesis diamond, International Gemological Institute, 2007. Retrieved May 27, 2015.
  75. Company Grows 10 Carat Synthetic Diamond Архивная копия от 1 июня 2015 на Wayback Machine. Jckonline.com (May 27, 2015). (англ.).
  76. Murphy, Hannah; Biesheuvel, Thomas; Elmquist, Sonja (August 27, 2015) «Want to Make a Diamond in Just 10 Weeks? Use a Microwave» Архивная копия от 30 сентября 2018 на Wayback Machine, Businessweek (англ.)
  77. The Best Lab-Grown Diamonds That Are High-Quality And Sustainable. Forbes. 11 декабря 2024. Дата обращения: 17 декабря 2024.

Википедия, чтение, книга, библиотека, поиск, нажмите, истории, книги, статьи, wikipedia, учить, информация, история, скачать, скачать бесплатно, mp3, видео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, картинка, музыка, песня, фильм, игра, игры, мобильный, телефон, Android, iOS, apple, мобильный телефон, Samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Сеть, компьютер, Информация о Искусственный алмаз, Что такое Искусственный алмаз? Что означает Искусственный алмаз?

Sinteticheskie almazy ili iskusstvennye almazy takzhe izvestnye kak almazy sozdannye v laboratorii ili laboratorno vyrashennye almazy angl laboratory grown diamonds LGD eto almazy poluchaemye v rezultate iskusstvennogo processa v otlichie ot naturalnyh almazov sozdavaemyh v rezultate geologicheskih processov Neskolko sinteticheskih almazov HPHT Okolo 97 almazov po masse ispolzuemyh v promyshlennosti sinteticheskie TerminologiyaSinteticheskie almazy takzhe shiroko izvestny pod imenami HPHT almazy ili CVD almazy nazvannye tak v chest dvuh populyarnyh metodov proizvodstva sinteticheskih almazov HPHT rasshifrovyvaetsya kak high pressure high temperature vysokie davlenie i temperatura a CVD chemical vapor deposition himicheskoe osazhdenie iz para Termin sinteticheskie schitaetsya dostatochno neudachnym Federalnaya torgovaya komissiya SShA predlozhila alternativnye terminy vyrashennye v laboratorii sozdannye v laboratorii i sozdannye nazvanie proizvoditelya Po ih slovam eti terminy budut tochnee vyrazhat proishozhdenie kamnya tak kak termin sinteticheskie obychno associiruetsya u potrebitelej s produktami imitiruyushimi original togda kak proizvedyonnye iskusstvenno almazy yavlyayutsya autentichnymi to est chistym uglerodom kristallizovannym v tryohmernoj izotropicheskoj forme IstoriyaMnozhestvo zayavlenij o sinteze almazov bylo zadokumentirovano mezhdu 1879 i 1928 godami bolshinstvo etih zayavlenij bylo tshatelno proanalizirovano no ni odno iz nih tak i ne podtverdilos Samye rannie zayavleniya byli sdelany Dzhejmsom Ballantajnom Hanneem v 1879 godu i Anri Muassanom v 1893 godu Ih metod vklyuchal nagrevanie drevesnogo uglya pri temperature do 3500 C 6330 F s zhelezom vnutri uglerodnogo tiglya v pechi V 1939 godu sovetskij uchyonyj Ovsej Lejpunskij vychislil neobhodimye dlya uspeshnogo ishoda opytov velichiny davleniya minimum 60 000 atmosfer V 1972 godu emu byl vydan diplom na otkrytie zakonomernosti obrazovaniya almazov s prioritetom datirovannym avgustom 1939 goda V 1940 h v SShA Shvecii i SSSR nachalis sistematicheskie issledovaniya po vyrashivaniyu almazov s pomoshyu metodov CVD i HPHT Eti dva metoda i po sej den dominiruyut v proizvodstve sinteticheskih almazov Vpervye vosproizvodimyj sintez byl vypolnen v 1953 godu shvedskij uchyonyj Balcar fon Platen skonstruiroval ustanovku v kotoroj kubicheskij obrazec szhimalsya shestyu porshnyami s raznyh storon 15 sentyabrya 1953 goda na nej byli polucheny pervye v mire iskusstvennye almazy Novyj metod izvestnyj kak sintez s podryvom stal ispolzovatsya v konce 1990 h V osnove dannogo metoda lezhit obrazovanie nanometrovyh peschinok almaza pri podryve vzryvchatki soderzhashej uglerod Eshyo odin metod baziruetsya na obrabotke grafita vysokomoshnym ultrazvukom on byl prodemonstrirovan v laboratornyh usloviyah no poka ne nashyol kommercheskogo uspeha Opros krupnejshego v SShA svadebnogo internet portala Knot pokazal chto v 2024 godu bolee poloviny par 52 vybrali pomolvochnoe kolco s iskusstvennym brilliantom Takie rezultaty byli polucheny vpervye tak v 2019 godu dolya kolec s iskusstvennymi brilliantami sostavlyala 12 Po dannym Soveta po naturalnym almazam angl Natural Diamond Council na svadebnye kolca prihoditsya bolee treti mirovogo sprosa na yuvelirnye izdeliya s brilliantami Po raschetam De Beers bolshe poloviny prodazh yuvelirnyh izdelij s brilliantami prihoditsya na SShA Tehnologii proizvodstvaDlya proizvodstva iskusstvennyh almazov ispolzuetsya neskolko tehnologij Istoricheski pervyj i osnovnoj na segodnya blagodarya otnositelno nevysokoj stoimosti ispolzovanie vysokogo davleniya i vysokoj temperatury high pressure high temperature HPHT Oborudovanie dlya etogo metoda mnogotonnye pressy kotorye mogut razvivat davlenie do 5 GPa pri 1500 C Vtoroj metod himicheskoe osazhdenie iz gazovoj fazy chemical vapor deposition CVD kogda nad podlozhkoj sozdayotsya plazma iz atomov ugleroda iz kotoroj atomy postepenno kondensiruyutsya na poverhnost obrazuya almaz Tretij metod ispolzuet formirovanie nanorazmernyh almazov pri pomoshi udarnoj volny ot vzryvchatki Vysokoe davlenie vysokaya temperatura Shematichnyj risunok pressa V HPHT metode ispolzuyutsya tri vida komponovki pressov lentochnyj press kubicheskij press i press s razreznoj sferoj Zatravki almazov pomeshayutsya na dno kapsuly pomeshaemoj v press V presse pod davleniem kapsulu nagrevayut do temperatury vyshe 1400 C i metall rastvoritel plavitsya Rasplavlennyj metall rastvoryaet uglerod takzhe zalozhennyj v kapsulu i pozvolyaet peremeshatsya atomam ugleroda k zatravkam blagodarya chemu zatravki rastut formiruya bolshie almazy V originalnom izobretenii GE sdelannom Trejsi Hollom Tracy Hall ispolzovalsya lentochnyj press gde verhnyaya i nizhnyaya nakovalni sdavlivali cilindricheskuyu yachejku Davlenie vnutri yachejki v radialnom napravlenii podderzhivalos za schyot poyasa iz predvaritelno napryazhyonnyh stalnyh lent opoyasyvayushih cilindricheskuyu kapsulu Nakovalni takzhe sluzhili elektrodami propuskayushimi tok cherez szhimaemuyu kapsulu Nekotorye varianty etogo pressa ispolzuyut gidravlicheskoe davlenie vmesto stalnyh lent dlya podderzhaniya davleniya v radialnom napravlenii Lentochnye pressy vsyo eshyo ispolzuyutsya no imeyut znachitelno bolshie gabarity nezheli originalnaya konstrukciya Vtoroj tip pressov kubicheskie Oni ispolzuyut shest nakovalen dlya szhatiya rabochego obyoma imeyushego formu kuba Pervym variantom pressa s neskolkimi nakovalnyami byl press tetraedr szhimayushij rabochij obyom pri pomoshi chetyryoh nakovalen Kubicheskie pressy poyavilis ochen bystro kak rezultat popytok uvelichit rabochij obyom po sravneniyu s lentochnymi pressami Kubicheskie pressy kak pravilo imeyut menshie gabarity po sravneniyu s lentochnymi i bystree vyhodyat na rabochie rezhimy po davleniyu i temperature neobhodimye dlya polucheniya sinteticheskih almazov Tem ne menee kubicheskie pressy ne tak prosto uvelichit dlya uvelicheniya rabochego obyoma Uvelichenie rabochego obyoma povlechyot uvelichenie razmera nakovalen kotoroe povlechyot uvelichenie sily prikladyvaemoj k nakovalne dlya polucheniya prezhnego davleniya Vozmozhnym resheniem mozhet byt umenshenie otnosheniya naruzhnoj i vnutrennej ploshadi nakovalni za schyot ispolzovaniya rabochego obyoma inoj formy naprimer dodekaedra No takie pressy budut slozhnee i dorozhe v proizvodstve Shema sistemy BARS Tretij naibolee sovershennyj tip pressov dlya vyrashivaniya almazov BARS Bespressovaya Apparatura vysokogo davleniya Razreznaya Sfera Razrabotan v 1989 1991 gg uchyonymi iz Instituta geologii i mineralogii im V S Soboleva sibirskogo otdeleniya RAN Pressy etoj konstrukcii naibolee kompaktnye effektivnye ekonomichnye iz vseh ustanovok dlya vyrashivaniya almazov V centr ustrojstva pomeshaetsya keramicheskaya cilindricheskaya kapsula obyomom okolo 2 sm3 v kotoroj sinteziruetsya almaz Kapsula okruzhaetsya peredayushej davlenie keramikoj na baze pirofillita kotoraya szhimaetsya puansonami pervoj stupeni iz tvyordogo materiala naprimer karbida volframa ili splava VK10 Vosmigrannaya sborka puansonov pervoj stupeni szhimaetsya pri pomoshi vosmi stalnyh puansonov vtoroj stupeni Posle sborki konstrukciya zaklyuchaetsya mezhdu dvuh polusfer diametrom okolo metra fiksiruemyh vmeste polumuftami Zazor mezhdu polusferami i stalnymi puansonami zapolnyaetsya gidravlicheskim maslom pod davleniem peredavaya usilie cherez puansony k kapsule Kapsula nagrevaetsya pri pomoshi vstroennogo koaksialnogo grafitovogo nagrevatelya a temperatura kontroliruetsya pri pomoshi termopary Himicheskoe osazhdenie iz gazovoj fazy Almaznyj monokristallicheskij disk poluchennyj po tehnologii himicheskogo osazhdeniya iz gazovoj fazy Diametr diska okolo 9 sm tolshina okolo 1 5 mm massa 155 karat 31 gramm Himicheskoe osazhdenie iz gazovoj fazy eto metod polucheniya almazov v kotorom almaz rastyot za schyot osazhdeniya ugleroda na zatravku iz vodorod uglerodnoj gazovoj smesi Dannyj sposob aktivno prorabatyvalsya nauchnymi gruppami v mire s 1980 h V to vremya kak HPHT process ispolzuetsya v promyshlennosti dlya serijnogo proizvodstva almazov prostota i gibkost CVD tehnologii obuslovili populyarnost etogo metoda v laboratoriyah Pri vyrashivanii almazov po tehnologii osazhdeniya iz gazovoj fazy mozhno tonko kontrolirovat himicheskij sostav vklyuchenij v itogovyj produkt vyrashivat almaznye plyonki na zagotovkah bolshoj ploshadi V otlichie ot HPHT CVD process ne trebuet vysokogo davleniya process rosta proishodit pri davleniyah menee 27 kPa CVD process vklyuchaet v sebya podgotovku podlozhki zapolnenie rabochej kamery smesyu gazov i ih posleduyushee vozbuzhdenie Process podgotovki podlozhki vklyuchaet v sebya poisk podhodyashego materiala i pravilnuyu orientaciyu ego kristallograficheskoj ploskosti ego ochistku chasto vklyuchaet v sebya shlifovku almaznymi poroshkami podbor optimalnoj temperatury podlozhki okolo 800 C Gazovaya atmosfera vsegda soderzhit istochnik ugleroda obychno metan i vodorod chasto v sootnoshenii 1 k 99 Vodorod neobhodim tak kak selektivno perevodit uglerod v nealmaznom sostoyanii v gazoobraznoe soedinenie Gazovaya smes v rabochej kamere ioniziruetsya dlya obrazovaniya himicheski aktivnyh radikalov pri pomoshi mikrovolnovogo izlucheniya elektricheskoj dugi lazerom ili kakim libo drugim sposobom V processe rosta material rabochej kamery mozhet protravlivatsya plazmoj chto privodit k zagryazneniyu rastushego almaza Tak CVD almazy ochen chasto soderzhat zagryazneniya iz kremniya ot smotrovyh okon rabochej kamery Po etoj prichine v konstrukciyah rabochih kamer izbegayut kvarcevyh okoshek ili vynosyat ih podalshe ot podlozhki Takzhe nalichie sledovyh kolichestv bora delaet nevozmozhnym vyrashivanie chistyh almazov Detonaciya vzryvchatki Elektronnaya mikrofotografiya detonacionnyh nanoalmazovSm takzhe Nanoalmaz Almaznye nanokristally 5 nm v diametre mogut byt sformirovany pri detonacii podhodyashej uglerod soderzhashej vzryvchatki v metallicheskoj kamere Vo vremya vzryva sozdayotsya vysokoe davlenie i vysokaya temperatura kotoroj dostatochno dlya prevrasheniya ugleroda iz vzryvchatki v almaz Srazu posle vzryva kameru so vzryvchatkoj pogruzhayut v vodu eto podavlyaet perehod almazov v bolee stabilnyj grafit V odnom iz variantov etoj tehnologii metallicheskaya trubka zapolnyaetsya poroshkom grafita i pomeshaetsya vnutr kamery zapolnennoj vzryvchatkoj Nagrev i davlenie razvivaemoe ot vzryva dostatochny dlya prevrasheniya grafita v almaz Finalnyj produkt vsegda zaklyuchyon v grafite i drugih nealmaznyh formah grafita poetomu trebuet dlitelnogo kipyacheniya v azotnoj kislote okolo sutok pri 250 C dlya izvlecheniya Poluchennye takim obrazom almaznye poroshki ispolzuyutsya v osnovnom kak abraziv Osnovnye proizvoditeli Kitaj Rossiya Belorussiya Postuplenie na rynok v bolshih kolichestvah nachalos priblizitelno s nachala 2000 h Ultrazvukovaya kavitaciya Almaznye kristally mikronnogo razmera mogut byt polucheny pri normalnyh usloviyah v suspenzii grafita v organicheskom rastvoritele pri vozdejstvii ultrazvukovoj kavitacii V almazy prevrashaetsya do 10 ishodnogo grafita Sebestoimost polucheniya almazov takim sposobom sopostavima s HPHT processom no kachestvo poluchaemyh almazov zametno huzhe Eta metodika sinteza almazov ochen prostaya no rezultaty byli polucheny vsego dvumya nauchnymi gruppami i metodika poka ne imeet promyshlennogo voplosheniya Na process vliyaet mnozhestvo parametrov vklyuchaya podgotovku grafitovoj suspenzii podbor rastvoritelya istochnika i rezhima ultrazvukovyh kolebanij optimizaciya kotoryh mozhet znachitelno uluchshit i udeshevit etu tehnologiyu polucheniya almazov SvojstvaTradicionno otsutstvie kristallicheskih defektov vazhnejshij pokazatel kachestva almaza Chistota i otsutstvie defektov delayut almaz prozrachnym chistym a v sovokupnosti s ego tvyordostyu himicheskoj stojkostyu vysokoj opticheskoj dispersiej delayut almaz populyarnym yuvelirnym kamnem Vysokaya teploprovodnost almaza vazhnoe kachestvo dlya tehnicheskih primenenij Esli vysokaya opticheskaya dispersiya harakterna dlya vseh almazov to ostalnye ego kachestva zavisyat ot togo v kakih usloviyah on byl sdelan Kristallicheskaya struktura Almaz mozhet byt odnim bolshim kristallom monokristall a mozhet sostoyat iz mnozhestva srosshihsya kristallikov polikristall Bolshie bezdefektnye monokristally almaza obychno polzuyutsya sprosom kak yuvelirnye kamni Polikristallicheskie almazy sostoyashie iz mnozhestva zeren horosho vidimyh po rasseyaniyu i poglosheniyu sveta nevooruzhyonnym glazom ispolzuyutsya v promyshlennosti kak rezhushij instrument Polikristallicheskie almazy chasto klassificiruyut po srednemu razmeru zerna v kristalle kotoryj mozhet varirovatsya ot nanometrov do mikrometrov Tvyordost Sinteticheskie almazy samoe tvyordoe iz izvestnyh veshestv esli pod tvyordostyu ponimat soprotivlenie vdavlivaniyu Tvyordost sinteticheskih almazov zavisit ot chistoty nalichiya defektov v kristallicheskoj reshetke i eyo orientacii dostigaya maksimalnoj v napravlenii 111 Tvyordost nanokristallicheskih almazov poluchennyh v CVD processe mozhet sostavlyat ot 30 do 70 ot tvyordosti monokristalla almaza i kontroliruetsya v processe vyrashivaniya v zavisimosti ot trebuemogo Nekotorye sinteticheskie monokristally almaza i HPHT nanokristallicheskie almazy tvyorzhe vseh izvestnyh prirodnyh almazov Primesi i vklyucheniya Kazhdyj almaz soderzhit primesi iz atomov otlichnyh ot ugleroda v kolichestvah dostatochnyh dlya opredeleniya analiticheskimi metodami Atomy primesej mogut sobiratsya v makrokolichestva formiruya vklyucheniya Primesej obychno izbegayut no oni mogut byt vvedeny namerenno dlya izmeneniya opredelyonnyh svojstv almaza Vyrashivanie almazov v zhidkoj srede iz metalla rastvoritelya privodit k formirovaniyu primesej iz perehodnyh metallov nikel zhelezo kobalt kotorye vliyayut na elektronnye svojstva almaza Chistyj almaz yavlyaetsya dielektrikom no nebolshaya dobavka bora delaet ego elektricheskim provodnikom a pri nekotoryh usloviyah dazhe sverhprovodnikom chto pozvolyaet ispolzovat ego v elektronnyh prilozheniyah Vklyucheniya azota prepyatstvuet dvizheniyu dislokacij v kristallicheskoj reshetke i uvelichivayut eyo napryazhyonnost tem samym povyshaya tvyordost i vyazkost Teploprovodnost V otlichie ot bolshinstva izolyatorov almaz imeet horoshuyu teploprovodnost iz za silnyh kovalentnyh svyazej v kristalle Teploprovodnost chistogo almaza naibolee vysokaya iz vseh izvestnyh Monokristall sinteticheskogo almaza sostoyashij iz 12 C 99 9 izotopa imeet teploprovodnost 30 Vt sm K pri komnatnoj temperature chto v 7 5 raz bolshe chem u medi U prirodnyh kristallov almaza teploprovodnost na 1 1 nizhe iz za primesi izotopa vnosyashego iskazheniya v kristallicheskuyu reshetku Teploprovodnost almaza ispolzuetsya yuvelirami dlya otdeleniya almazov ot ih imitacij Kamnya kasayutsya specialnym mednym shupom imeyushem na konce miniatyurnyj nagrevatel i termodatchik Esli almaz nastoyashij on bystro otvedyot teplo ot nagrevatelya chto vyzovet zametnoe padenie temperatury fiksiruemoe termodatchikom Takoj test zanimaet vsego 2 3 sekundy PrimenenieRezhushij instrument Almazy na plastinah shlifovalnogo diska Bolshinstvo promyshlennyh primenenij sinteticheskih almazov svyazano imenno s ih tvyordostyu v kachestve sverhtvyordogo rezhushego instrumenta abrazivnyh poroshkov polirovalnyh past indentorov dlya vyglazhivaniya Blagodarya tvyordosti prevoshodyashej lyuboj izvestnyj material almazy ispolzuyutsya dlya shlifovki lyubyh materialov dazhe pri ogranke samih almazov Eto samaya bolshaya po obyomu nisha ispolzovaniya almazov v promyshlennosti Hot prirodnye almazy tozhe mogut ispolzovatsya dlya etih celej sinteticheskie poluchennye po HPHT processu populyarnee v silu bolshej odnorodnosti svojstv i menshemu razbrosu parametrov Almazy neprigodny dlya vysokoskorostnoj obrabotki stali pri vysokih temperaturah v meste reza uglerod iz almaza rastvoryaetsya v zheleze chto privodit k uskorennomu iznosu instrumenta Dlya vysokoskorostnoj obrabotki stalej ispolzuyut drugie splavy VK8 kubicheskij nitrid bora i t d Obychno almaznyj instrument imeet spechyonnoe pokrytie v kotorom mikronnye zyorna almaza dispergirovany v metallicheskoj matrice obychno v kobalte Po mere iznosa metallicheskaya matrica obnazhaet vse novye i novye zyorna almaza Nesmotrya na raboty na protyazhenii neskolkih let po pokrytiyu instrumenta almaznym i almazopodobnym sloem DLC pri pomoshi CVD processa eta tehnologiya ne smogla sushestvenno vytesnit klassicheskie polikristallicheskie zyorna almaza v metallicheskoj matrice v instrumente Teploprovodniki Bolshinstvo materialov s vysokoj teploprovodnostyu obladaet takzhe horoshej elektroprovodnostyu Osobnyakom vydelyaetsya almaz nesmotrya na ogromnuyu teploprovodnost on obladaet neznachitelnoj elektroprovodnostyu Eto sochetanie svojstv pozvolyaet ispolzovat almaz kak teplootvod dlya moshnyh lazernyh diodov massivov takih diodov ili moshnyh tranzistorov Effektivnyj otvod tepla uvelichivaet srok sluzhby elektronnyh ustrojstv a dorogovizna remonta i zameny takih ustrojstv kompensiruet dorogoviznu ot ispolzovaniya almazov v konstrukcii teplootvoda angl heat spreader iz sinteticheskih almazov predotvrashayut peregrev kremniya i drugih poluprovodnikovyh materialov Opticheskie materialy Almaz tvyordyj himicheski inertnyj obladaet vysokoj teploprovodnostyu pri nevysokom linejnom koefficiente rasshireniya chto delaet ego idealnym materialom dlya okon vyvoda infrakrasnogo i mikrovolnovogo izlucheniya Sinteticheskij almaz stal vytesnyat selenid cinka v kachestve vyhodnyh okon v moshnyh CO2 lazerah i girotronah Eti sinteticheskie polikristallicheskie almaznye okna imeyut formu diskov bolshogo diametra poryadka 10 sm dlya girotronov i nebolshuyu tolshinu dlya snizheniya poglosheniya i proizvodyatsya po metodu CVD Edinichnye kristally v vide plastinok razmerom do 10 mm stanovyatsya vazhnymi v ispolzovanii v nekotoryh opticheskih prilozheniyah vklyuchaya teploraspredeliteli v lazernyh rezonatorah difrakcionnoj optike i rabochee telo opticheskih usilitelej v ramanovskih lazerah Sovremennye uluchsheniya v HPHT i CVD sinteze pozvolili dostatochno povysit chistotu i pravilnost kristallograficheskoj struktury monokristallov dlya vytesneniya kremniya v difrakcionnyh reshetkah i materiala dlya okon v vysokomoshnyh istochnikah izlucheniya naprimer v sinhrotronah Almazy poluchennye kak po CVD processu tak i po HPHT tehnologii ispolzuyutsya dlya sozdaniya almaznyh nakovalen dlya izucheniya svojstv veshestv pri sverhvysokih davleniyah Elektronika Sinteticheskij almaz potencialno mozhet ispolzovatsya kak poluprovodnik tak kak mozhet legirovatsya primesyami iz bora i fosfora Poskolku eti elementy soderzhat bolshe ili menshe valentnyh elektronov chem atomy almaza formiruyutsya zony p i n provodimosti formiruya pn perehod Na baze takogo pn perehoda byli postroeny svetodiody s dlinoj vyhodnogo UF izlucheniya 235 nm Drugoe poleznoe dlya ispolzovanii v elektronike svojstvo sinteticheskogo almaza vysokaya podvizhnost elektronov kotoraya mozhet dostigat 4500 sm2 V s dlya elektronov v monokristalle CVD almaza Vysokaya podvizhnost elektronov vostrebovana v vysokochastotnoj tehnike prodemonstrirovana vozmozhnost sozdaniya polevogo tranzistora iz almaza s rabochej chastotoj do 50 GGc Shirokaya zapreshyonnaya zona almaza 5 5 eV pridayot otlichnye dielektricheskie svojstva V summe s otlichnymi mehanicheskimi svojstvami na baze almazov postroeny prototipy moshnyh silovyh tranzistorov dlya elektrostancij Tranzistory na osnove sinteticheskih almazov izgotavlivayutsya v laboratoriyah no do sih por net ni odnogo kommercheskogo ustrojstva na ih baze Almaznye tranzistory vesma mnogoobeshayushie oni mogut rabotat pri bolee vysokoj temperature chem kremnievye soprotivlyatsya radiacionnomu i mehanicheskomu povrezhdeniyu Sinteticheskie almazy uzhe ispolzuyutsya v detektorah izluchenij Ih radiacionnaya stojkost vkupe s shirokoj zapreshyonnoj zonoj 5 5 eV delaet ih interesnym materialom dlya detektorov Vygodnoe otlichie otnositelno drugih poluprovodnikov otsutstvie stabilnogo oksida Eto delaet nevozmozhnym sozdanie KMOP struktur no zato delaet vozmozhnym rabotu s UF izlucheniyami bez problem s poglosheniem izlucheniya v okisnoj plyonke Almazy ispolzuyutsya v detektorah BaBar na stenfordskom linejnom uskoritele i BOLD Blind to the Optical Light Detectors for solar observations Almaznye VUV detektory ispolzovalis nedavno v evropejskoj programme Yuvelirnye kamni Bescvetnyj brilliant vyrezannyj iz almaza vyrashennogo po CVD tehnologii Sinteticheskie almazy yuvelirnogo kachestva poluchayut kak po HPHT processu tak i po CVD processu Sinteticheskie almazy dostupny v zhyoltom golubom ottenkah i v chastichno bescvetnom vide Zhyoltyj okras almazu pridayut primesi azota goluboj primesi bora Drugie cveta takie kak rozovyj ili zelyonyj dostupny posle obrabotki kamnya radioaktivnym izlucheniem Na 2013 14 gody dolya po masse sinteticheskih almazov v proizvodstve almazov dlya yuvelirnogo rynka po raznym ocenkam sostavlyala ot 0 28 do 2 Dolya po cene sinteticheskih almazov na rynke yuvelirnyh almazov s 2016 po 2023 vyrosla v 12 raz i na 2023 god ocenivalas v 17 chto proishodilo odnovremenno s silnym padeniem ceny na sinteticheskie almazy v yuvelirnom proizvodstve V 2015 2016 sinteticheskie almazy stoili vsego na 10 20 menshe prirodnyh odnako s etogo vremeni nachalos postoyannoe i silnoe snizhenie cen i na 2023 god sinteticheskij brilliant stoil uzhe na 90 menshe prirodnogo Almazy yuvelirnogo kachestva vyrashennye v laboratorii himicheski fizicheski opticheski identichny prirodnym Interesy gornodobyvayushih kompanij dlya zashity rynka ot sinteticheskih almazov prodvigayutsya pri pomoshi zakonodatelnyh marketingovyh mer a takzhe zashity distribucii Sinteticheskie almazy mogut byt obnaruzheny pri pomoshi infrakrasnoj ultrafioletovoj rentgenovskoj spektroskopii Tester DiamondView ot kompanii De Beers ispolzuet UF fluorescenciyu dlya obnaruzheniya primesej azota nikelya i drugih veshestv harakternyh dlya almazov poluchennyh po CVD i HPHT tehnologiyam Kak minimum odna laboratoriya vyrashivayushaya almazy obyavila o tom chto oni markiruyut svoi almazy pri pomoshi naneseniya nomera na kamen lazerom Na sajte kompanii privedyon primer takoj markirovki v vide nadpisi created i serijnogo nomera s prefiksom LG laboratory grown V mae 2015 g kompaniej New Diamond Technology Sankt Peterburg Rossijskaya Federaciya byl postavlen novyj mirovoj rekord poluchen bescvetnyj brilliant massoj 10 02 karata vyrashennyj po tehnologii HPHT vyrezannyj iz zagotovki massoj 32 2 karata vyrashivavshijsya v techenie 300 chasov Tradicionnaya almazodobycha kritikuetsya za narushenie prav cheloveka v Afrike i v drugih mestah Gollivudskij film Krovavyj almaz 2006 pomog publichnoj oglaske situacii Potrebitelskij spros na sinteticheskie almazy vyros tak kak sinteticheskie almazy ne tolko deshevle no i eticheski bolee priemlemy Laboratorno vyrashennye almazy prodayutsya pod mnozhestvom torgovyh marok odna iz starejshih nyne Pure Grown Diamonds sredi drugih izvestnyh marok Blue Nile James Allen Grown Brilliance Vrai Ritani Clean Origin With Clarity PrimechaniyaDonald W Olson 21 2 Diamond industrial angl 2011 Minerals Yearbook USGS mart 2013 synthetic diamond accounted for about 97 by weight of the industrial diamond used in the united states and about 97 by weight of the industrial diamond used in the world during 2011 Data obrasheniya 17 oktyabrya 2013 Arhivirovano 5 marta 2016 goda Dmitrij Mamontov Mesto rozhdeniya almazov Populyarnaya mehanika 2016 5 S 60 63 URL http www popmech ru technologies 237923 kak vyrashchivayut krupneyshie v mire almazy sdelano v rossii Arhivnaya kopiya ot 4 yanvarya 2017 na Wayback Machine 16 C F R Part 23 Guides For The Jewelry Precious Metals and Pewter Industries Federal Trade Commission Letter Declining To Amend The Guides With Respect To Use Of The Term Cultured Arhivnaya kopiya ot 2 aprelya 2013 na Wayback Machine Federalnaya torgovaya komissiya SShA 21 iyulya 2008 Sergej Volkov Na stole lezhal almaz Tehnika molodyozhi zhurnal 1986 Maj S 9 ISSN 0320 331X 2 1 Sinteticheskij almaz Instrumenty iz sverhtvyordyh materialov N V Novikov S A Klimenko 2 e M Mashinostroenie 2014 S 35 608 s ISBN 978 5 94275 703 8 Sergej Volkov Na stole lezhal almaz Tehnika molodyozhi zhurnal 1986 Maj S 9 10 ISSN 0320 331X Rynok almazov iskusstvennye brillianty prodolzhayut zavoevyvat serdca Chto eto znachit dlya ALROSA More couples are choosing lab grown diamonds over natural stones for engagement rings Here s why angl The Knot 2025 Real Weddings Study angl Werner M Locher R Growth and application of undoped and doped diamond films angl angl journal 1998 Vol 61 no 12 P 1665 1710 doi 10 1088 0034 4885 61 12 002 Bibcode 1998RPPh 61 1665W Osawa E Recent progress and perspectives in single digit nanodiamond angl angl journal 2007 Vol 16 no 12 P 2018 2022 doi 10 1016 j diamond 2007 08 008 Bibcode 2007DRM 16 2018O Galimov E M Kudin A M Skorobogatskii V N Plotnichenko V G Bondarev O L Zarubin B G Strazdovskii V V Aronin A S Fisenko A V Bykov I V Barinov A Yu Experimental Corroboration of the Synthesis of Diamond in the Cavitation Process angl angl journal 2004 Vol 49 no 3 P 150 153 doi 10 1134 1 1710678 Bibcode 2004DokPh 49 150G HPHT synthesis neopr International Diamond Laboratories Data obrasheniya 5 maya 2009 Arhivirovano iz originala 1 maya 2009 goda Barnard p 150 Ito E Multianvil cells and high pressure experimental methods in Treatise of Geophysics angl G Schubert Elsevier Amsterdam 2007 Vol 2 P 197 230 ISBN 0 8129 2275 1 Hall H T Ultrahigh Pressure Research At ultrahigh pressures new and sometimes unexpected chemical and physical events occur angl Science journal 1958 Vol 128 no 3322 P 445 449 doi 10 1126 science 128 3322 445 Bibcode 1958Sci 128 445H PMID 17834381 JSTOR 1756408 Loshak M G Alexandrova L I Rise in the efficiency of the use of cemented carbides as a matrix of diamond containing studs of rock destruction tool angl Int J Refractory Metals and Hard Materials journal 2001 Vol 19 P 5 9 doi 10 1016 S0263 4368 00 00039 1 Pal Yanov N Sokol A G Borzdov M Khokhryakov A F Fluid bearing alkaline carbonate melts as the medium for the formation of diamonds in the Earth s mantle an experimental study angl angl journal 2002 Vol 60 no 3 4 P 145 159 doi 10 1016 S0024 4937 01 00079 2 Bibcode 2002Litho 60 145P Koizumi S Nebel C E Nesladek M Physics and Applications of CVD Diamond neopr Wiley VCH 2008 S 50 200 240 ISBN 3 527 40801 0 Barjon J Rzepka E Jomard F Laroche J M Ballutaud D Kociniewski T Chevallier J Silicon incorporation in CVD diamond layers angl angl journal 2005 Vol 202 no 11 P 2177 2181 doi 10 1002 pssa 200561920 Bibcode 2005PSSAR 202 2177B State of the Art Program on Compound Semiconductors XXXIX and Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors Photonics and Electronics IV proceedings of the Electrochemical Society angl Kopf R F The Electrochemical Society 2003 Vol 2003 2011 P 363 ISBN 1 56677 391 1 Iakoubovskii K Baidakova M V Wouters B H Stesmans A Adriaenssens G J Vul A Ya Grobet P J Structure and defects of detonation synthesis nanodiamond angl angl journal 2000 Vol 9 no 3 6 P 861 865 doi 10 1016 S0925 9635 99 00354 4 Bibcode 2000DRM 9 861I Arhivirovano 22 dekabrya 2015 goda Decarli P and Jamieson J Jamieson Formation of Diamond by Explosive Shock angl Science 1961 June vol 133 no 3467 P 1821 1822 doi 10 1126 science 133 3467 1821 Bibcode 1961Sci 133 1821D PMID 17818997 Dolmatov V Yu Development of a rational technology for synthesis of high quality detonation nanodiamonds angl Russian Journal of Applied Chemistry journal 2006 Vol 79 no 12 P 1913 1918 doi 10 1134 S1070427206120019 Khachatryan A Kh Aloyan S G May P W Sargsyan R Khachatryan V A Baghdasaryan V S Graphite to diamond transformation induced by ultrasonic cavitation angl angl journal 2008 Vol 17 no 6 P 931 936 doi 10 1016 j diamond 2008 01 112 Bibcode 2008DRM 17 931K Spear and Dismukes pp 308 309 Zoski Cynthia G Handbook of Electrochemistry neopr Elsevier 2007 S 136 ISBN 0 444 51958 0 Blank V Popov M Pivovarov G Lvova N Gogolinsky K Reshetov V Ultrahard and superhard phases of fullerite C60 comparison with diamond on hardness and wear angl angl journal 1998 Vol 7 no 2 5 P 427 431 doi 10 1016 S0925 9635 97 00232 X Bibcode 1998DRM 7 427B Arhivirovano 21 iyulya 2011 goda Neves A J Nazare M H Properties Growth and Applications of Diamond angl IET 2001 P 142 147 ISBN 0 85296 785 3 Sumiya H Super hard diamond indenter prepared from high purity synthetic diamond crystal angl angl journal 2005 Vol 76 no 2 P 026112 026112 3 doi 10 1063 1 1850654 Bibcode 2005RScI 76b6112S Yan Chih Shiue Mao Ho Kwang Li Wei Qian Jiang Zhao Yusheng Hemley Russell J Ultrahard diamond single crystals from chemical vapor deposition angl angl journal 2005 Vol 201 no 4 P R25 doi 10 1002 pssa 200409033 Bibcode 2004PSSAR 201R 25Y Larico R Justo J F Machado W V M Assali L V C Electronic properties and hyperfine fields of nickel related complexes in diamond angl Physical Review B journal 2009 Vol 79 no 11 P 115202 doi 10 1103 PhysRevB 79 115202 Bibcode 2009PhRvB 79k5202L arXiv 1208 3207 Assali L V C Machado W V M Justo J F 3d transition metal impurities in diamond electronic properties and chemical trends angl Physical Review B journal 2011 Vol 84 no 15 P 155205 doi 10 1103 PhysRevB 84 155205 Bibcode 2011PhRvB 84o5205A arXiv 1307 3278 Ekimov E A Sidorov V A Bauer E D Mel Nik N N Curro N J Thompson J D Stishov S M Superconductivity in diamond angl Nature 2004 Vol 428 no 6982 P 542 545 doi 10 1038 nature02449 Bibcode 2004Natur 428 542E arXiv cond mat 0404156 PMID 15057827 Arhivirovano 7 iyunya 2011 goda Catledge S A Vohra Yogesh K Effect of nitrogen addition on the microstructure and mechanical properties of diamond films grown using high methane concentrations angl Journal of Applied Physics journal 1999 Vol 86 P 698 doi 10 1063 1 370787 Bibcode 1999JAP 86 698C Wei Lanhua Kuo P Thomas R Anthony T Banholzer W Thermal conductivity of isotopically modified single crystal diamond angl Phys Rev Lett journal 1993 Vol 70 no 24 P 3764 3767 doi 10 1103 PhysRevLett 70 3764 Bibcode 1993PhRvL 70 3764W PMID 10053956 Wenckus J F December 18 1984 Method and means of rapidly distinguishing a simulated diamond from natural diamond U S Patent 4 488 821 Holtzapffel C Turning And Mechanical Manipulation neopr angl 1856 S 176 178 ISBN 1 879335 39 5 Coelho R T Yamada S Aspinwall D K Wise M L H The application of polycrystalline diamond PCD tool materials when drilling and reaming aluminum based alloys including MMC angl International Journal of Machine Tools and Manufacture journal 1995 Vol 35 no 5 P 761 774 doi 10 1016 0890 6955 95 93044 7 Ahmed W Sein H Ali N Gracio J Woodwards R Diamond films grown on cemented WC Co dental burs using an improved CVD method angl angl journal 2003 Vol 12 no 8 P 1300 1306 doi 10 1016 S0925 9635 03 00074 8 Bibcode 2003DRM 12 1300A Sakamoto M Endriz J G Scifres D R 120 W CW output power from monolithic AlGaAs 800 nm laser diode array mounted on diamond heatsink angl angl journal 1992 Vol 28 no 2 P 197 199 doi 10 1049 el 19920123 Ravi Kramadhati V et al August 2 2005 Diamond silicon hybrid integrated heat spreader U S Patent 6 924 170 Harris D C Materials for infrared windows and domes properties and performance angl SPIE Press 1999 P 303 334 ISBN 0 8194 3482 5 The diamond window for a milli wave zone high power electromagnetic wave output angl New Diamond journal 1999 Vol 15 P 27 ISSN 1340 4792 Nusinovich G S Introduction to the physics of gyrotrons neopr JHU Press 2004 S 229 ISBN 0 8018 7921 3 Mildren Richard P Sabella Alexander Kitzler Ondrej Spence David J and McKay Aaron M Ch 8 Diamond Raman Laser Design and Performance Optical Engineering of Diamond neopr Mildren Rich P and Rabeau James R Wiley S 239 276 ISBN 978 352764860 3 doi 10 1002 9783527648603 ch8 Khounsary Ali M Smither Robert K Davey Steve Purohit Ankor Smither Davey Purohit Diamond Monochromator for High Heat Flux Synchrotron X ray Beams angl Proc SPIE journal Khounsary Ali M 1992 Vol High Heat Flux Engineering P 628 642 doi 10 1117 12 140532 Bibcode 1993SPIE 1739 628K Arhivirovano 17 sentyabrya 2008 goda Heartwig J Diamonds for Modern Synchrotron Radiation Sources neopr European Synchrotron Radiation Facility 13 sentyabrya 2006 Data obrasheniya 5 maya 2009 Arhivirovano iz originala 24 marta 2015 goda Jackson D D Aracne Ruddle C Malba V Weir S T Catledge S A Vohra Y K Magnetic susceptibility measurements at high pressure using designer diamond anvils angl angl journal 2003 Vol 74 no 4 P 2467 doi 10 1063 1 1544084 Bibcode 2003RScI 74 2467J Denisenko A and Kohn E Kohn Diamond power devices Concepts and limits angl angl journal 2005 Vol 14 no 3 7 P 491 498 doi 10 1016 j diamond 2004 12 043 Bibcode 2005DRM 14 491D Koizumi S Watanabe K Hasegawa M Kanda H Ultraviolet Emission from a Diamond pn Junction angl Science 2001 Vol 292 no 5523 P 1899 1901 doi 10 1126 science 1060258 Bibcode 2001Sci 292 1899K PMID 11397942 Isberg J Hammersberg J Johansson E Wikstrom T Twitchen DJ Whitehead AJ Coe SE Scarsbrook G A High Carrier Mobility in Single Crystal Plasma Deposited Diamond angl Science journal 2002 Vol 297 no 5587 P 1670 1672 doi 10 1126 science 1074374 Bibcode 2002Sci 297 1670I PMID 12215638 Russell S A O Sharabi S Tallaire A Moran D A J Hydrogen Terminated Diamond Field Effect Transistors With Cutoff Frequency of 53 GHz angl IEEE Electron Device Letters journal 2012 1 October vol 33 no 10 P 1471 1473 doi 10 1109 LED 2012 2210020 Bibcode 2012IEDL 33 1471R Ueda K Kasu M Yamauchi Y Makimoto T Schwitters M Twitchen D J Scarsbrook G A Coe S E Diamond FET using high quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz angl IEEE Electron Device Letters journal 2006 1 July vol 27 no 7 P 570 572 doi 10 1109 LED 2006 876325 Bibcode 2006IEDL 27 570U Isberg J Gabrysch M Tajani A Twitchen D J High field Electrical Transport in Single Crystal CVD Diamond Diodes angl Advances in Science and Technology journal 2006 Vol 48 P 73 76 doi 10 4028 www scientific net AST 48 73 Railkar T A Kang W P Windischmann Henry Malshe A P Naseem H A Davidson J L Brown W D A critical review of chemical vapor deposited CVD diamond for electronic applications angl Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences journal 2000 Vol 25 no 3 P 163 277 doi 10 1080 10408430008951119 Bibcode 2000CRSSM 25 163R Salisbury David August 4 2011 Designing diamond circuits for extreme environments Arhivnaya kopiya ot 18 noyabrya 2011 na Wayback Machine Vanderbilt University Research News Retrieved May 27 2015 Bucciolini M Borchi E Bruzzi M Casati M Cirrone P Cuttone G Deangelis C Lovik I Onori S Raffaele L Sciortino S Diamond dosimetry Outcomes of the CANDIDO and CONRADINFN projects angl angl journal 2005 Vol 552 P 189 196 doi 10 1016 j nima 2005 06 030 Bibcode 2005NIMPA 552 189B Blind to the Optical Light Detectors neopr Royal Observatory of Belgium Data obrasheniya 5 maya 2009 Arhivirovano 21 iyunya 2009 goda Benmoussa A Soltani A Haenen K Kroth U Mortet V Barkad H A Bolsee D Hermans C Richter M De Jaeger J C Hochedez J F New developments on diamond photodetector for VUV Solar Observations angl angl journal 2008 Vol 23 no 3 P 035026 doi 10 1088 0268 1242 23 3 035026 Bibcode 2008SeScT 23c5026B Abbaschian Reza Zhu Henry Clarke Carter High pressure high temperature growth of diamond crystals using split sphere apparatus angl Diam Rel Mater journal 2005 Vol 14 no 11 12 P 1916 1919 doi 10 1016 j diamond 2005 09 007 Bibcode 2005DRM 14 1916A Yarnell Amanda The Many Facets of Man Made Diamonds angl angl journal American Chemical Society 2004 2 February vol 82 no 5 P 26 31 doi 10 1021 cen v082n005 p026 Arhivirovano 28 oktyabrya 2008 goda Burns R C Cvetkovic V and Dodge C N Cvetkovic Dodge Evans Rooney Growth sector dependence of optical features in large synthetic diamonds angl Journal of Crystal Growth journal 1990 Vol 104 no 2 P 257 279 doi 10 1016 0022 0248 90 90126 6 Bibcode 1990JCrGr 104 257B Walker J Optical absorption and luminescence in diamond angl angl journal 1979 Vol 42 no 10 P 1605 1659 doi 10 1088 0034 4885 42 10 001 Bibcode 1979RPPh 42 1605W Collins A T Connor A Ly C H Shareef A Spear P M High temperature annealing of optical centers in type I diamond angl Journal of Applied Physics journal 2005 Vol 97 no 8 P 083517 doi 10 1063 1 1866501 Bibcode 2005JAP 97h3517C Synthetic Diamonds Promoting Fair Trade neopr gjepc org The Gem amp Jewellery Export Promotion Council Data obrasheniya 12 fevralya 2016 Arhivirovano 13 iyulya 2014 goda How High Quality Synthetic Diamonds Will Impact the Market neopr 12 iyulya 2013 Data obrasheniya 17 dekabrya 2024 How 2023 became the year of the lab grown diamond CNN 26 oktyabrya 2023 Data obrasheniya 17 dekabrya 2024 Zimnisky Paul A New Diamond Industry angl Mining Journal London 9 yanvarya 2017 Data obrasheniya 31 dekabrya 2017 Arhivirovano 13 yanvarya 2017 goda The lab grown diamond boom is over Insider Inc 1 noyabrya 2024 Data obrasheniya 17 dekabrya 2024 De Beers pleads guilty in price fixing case angl Associated Press via MSNBC com 13 iyulya 2004 Arhivirovano 5 noyabrya 2012 Data obrasheniya 27 maya 2015 Pressler Margaret Webb 14 iyulya 2004 DeBeers Pleads to Price Fixing Firm Pays 10 million Can Fully Reenter U S Washington Post angl Arhivirovano 12 noyabrya 2012 Data obrasheniya 26 noyabrya 2008 O Donoghue p 115 Laboratory Grown Diamond Report Arhivnaya kopiya ot 21 oktyabrya 2012 na Wayback Machine for Gemesis diamond International Gemological Institute 2007 Retrieved May 27 2015 Company Grows 10 Carat Synthetic Diamond Arhivnaya kopiya ot 1 iyunya 2015 na Wayback Machine Jckonline com May 27 2015 angl Murphy Hannah Biesheuvel Thomas Elmquist Sonja August 27 2015 Want to Make a Diamond in Just 10 Weeks Use a Microwave Arhivnaya kopiya ot 30 sentyabrya 2018 na Wayback Machine Businessweek angl The Best Lab Grown Diamonds That Are High Quality And Sustainable Forbes 11 dekabrya 2024 Data obrasheniya 17 dekabrya 2024 Mediafajly na Vikisklade

17 Июл, 2025 / 14:30
NiNa.Az

NiNa.Az

NiNa.Az - Абсолютно бесплатная система, которая делится для вас информацией и контентом 24 часа в сутки.
Взгляните
Закрыто
© 2019 NiNa.Az - Все права защищены.
Авторские права: Dadash Mammadov