Полупроводниковая пластина
Полупроводнико́вая пласти́на — полуфабрикат в технологическом процессе производства полупроводниковых приборов, микросхем и фотогальванических элементов.
Изготавливается из монокристаллов германия, кремния, карбида кремния, арсенида и фосфида галлия и других полупроводниковых материалов.
Представляет собой тонкую (250—1000 мкм) пластину диаметром в современных технологических процессах до 450 мм, на поверхности которой с помощью операций планарной технологии формируется массив дискретных полупроводниковых приборов или интегральных схем.
После создания массива необходимых полупроводниковых структур пластину после надсечки по линиям разлома алмазным инструментом разламывают на отдельные кристаллы (чипы).
Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.
Изготовление основы для полупроводниковых пластин
Кремниевые пластины изготавливаются из сверхчистого (чистота порядка 99,9999999 %) монокристалла кремния с низкой концентрацией дефектов и дислокаций. Монокристаллы кремния выращиваются методом Чохральского с последующей очисткой методом зонной плавки.
Затем монокристалл разрезается на тонкие пластины стопкой алмазных дисков с внутренней режущей кромкой или проволочной пилой с использованием суспензии алмазной пыли, распил ведут параллельно определённой кристаллографической плоскости (для кремния это обычно плоскость {111}). Контроль ориентации распила относительно кристаллографической плоскости производят рентгеноструктурным методом.
После распиливания монокристалла пластины подвергают механической шлифовке и полировке до оптической и завершают подготовку поверхности химическим стравливанием тонкого слоя для удаления микротрещин и дефектов поверхности, оставшихся после механической полировки.
Далее в большинстве технологических процессов на одну из поверхностей пластины наносят эпитаксиальным методом тонкий слой сверхчистого кремния со строго заданной концентрацией легирующей примеси. В этом слое в последующих технологических операциях формируют с помощью диффузии примесей, окисления, напыления плёнок, структуры множества полупроводниковых приборов или интегральных микросхем.
Стандартные размеры
Диаметры круглой пластины:
- 1 дюйм (25,4 мм).
- 2 дюйма (50,8 мм). Толщина 275 мкм.
- 3 дюйма (76,2 мм). Толщина 375 мкм.
- 4 дюйма (100 мм). Толщина 525 мкм.
- 5 дюймов (127 мм) и 125 мм (4.9 дюйм). Толщина 625 мкм.
- 5,9 дюйма (150 мм, часто называются «6 дюймов»). Толщина 675 мкм.
- 7,9 дюйма (200 мм, часто называются «8 дюймов»). Толщина 725 мкм.
- 11,8 дюйма (300 мм, часто называются «12 дюймов» или «пластина размером с пиццу»). Толщина 775 мкм.
- 18 дюймов (450 мм). Толщина 925 мкм (ожидается)
Наиболее популярные размеры по состоянию на 2011 год: 300 мм, 200 мм, 150 мм. Наиболее современные техпроцессы (начиная примерно со 130 нм) по изготовлению СБИС обычно используют 300-мм пластины.
См. также
- Подложка
- SMIF
- FOUP
- Multi-Project Wafer
Примечания
- «Semi» SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: How to Make a Chip. Adapted from Design News. Reed Electronics Group.
- SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: How to Make a Chip. Adapted from Design News. Reed Electronics Group.
- Levy, Roland Albert. Microelectronic Materials and Processes (неопр.). — 1989. — С. 1—2. — ISBN 0-7923-0154-4.
- Grovenor, C. Microelectronic Materials (неопр.). — CRC Press, 1989. — С. 113—123. — ISBN 0-85274-270-3.
- Nishi, Yoshio. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology (англ.). — CRC Press, 2000. — P. 67—71. — ISBN 0-8247-8783-8.
- Industry agrees on first 450-mm wafer standard | EE Times. Дата обращения: 21 августа 2013. Архивировано 14 октября 2014 года.
- Webinar: Outlook on the Semiconductor Manufacturing Industry Архивная копия от 29 августа 2017 на Wayback Machine / SEMI, 2012. слайд 15 «Global Silicon Wafer Outlook by Diameter» (англ.)
Ссылки
- Everything Wafers (англ.)
В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |
Википедия, чтение, книга, библиотека, поиск, нажмите, истории, книги, статьи, wikipedia, учить, информация, история, скачать, скачать бесплатно, mp3, видео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, картинка, музыка, песня, фильм, игра, игры, мобильный, телефон, Android, iOS, apple, мобильный телефон, Samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, ПК, web, Сеть, компьютер, Информация о Полупроводниковая пластина, Что такое Полупроводниковая пластина? Что означает Полупроводниковая пластина?
Poluprovodniko vaya plasti na polufabrikat v tehnologicheskom processe proizvodstva poluprovodnikovyh priborov mikroshem i fotogalvanicheskih elementov Poluprovodnikovaya plastina so sformirovannym na nej massivom mikroshem Izgotavlivaetsya iz monokristallov germaniya kremniya karbida kremniya arsenida i fosfida galliya i drugih poluprovodnikovyh materialov Predstavlyaet soboj tonkuyu 250 1000 mkm plastinu diametrom v sovremennyh tehnologicheskih processah do 450 mm na poverhnosti kotoroj s pomoshyu operacij planarnoj tehnologii formiruetsya massiv diskretnyh poluprovodnikovyh priborov ili integralnyh shem Posle sozdaniya massiva neobhodimyh poluprovodnikovyh struktur plastinu posle nadsechki po liniyam razloma almaznym instrumentom razlamyvayut na otdelnye kristally chipy Promyshlennyj vypusk poluprovodnikovyh plastin imeet sushestvennoe znachenie dlya proizvodstva integralnyh mikroshem i poluprovodnikovyh priborov Izgotovlenie osnovy dlya poluprovodnikovyh plastinKremnievye plastiny izgotavlivayutsya iz sverhchistogo chistota poryadka 99 9999999 monokristalla kremniya s nizkoj koncentraciej defektov i dislokacij Monokristally kremniya vyrashivayutsya metodom Chohralskogo s posleduyushej ochistkoj metodom zonnoj plavki Zatem monokristall razrezaetsya na tonkie plastiny stopkoj almaznyh diskov s vnutrennej rezhushej kromkoj ili provolochnoj piloj s ispolzovaniem suspenzii almaznoj pyli raspil vedut parallelno opredelyonnoj kristallograficheskoj ploskosti dlya kremniya eto obychno ploskost 111 Kontrol orientacii raspila otnositelno kristallograficheskoj ploskosti proizvodyat rentgenostrukturnym metodom Posle raspilivaniya monokristalla plastiny podvergayut mehanicheskoj shlifovke i polirovke do opticheskoj i zavershayut podgotovku poverhnosti himicheskim stravlivaniem tonkogo sloya dlya udaleniya mikrotreshin i defektov poverhnosti ostavshihsya posle mehanicheskoj polirovki Dalee v bolshinstve tehnologicheskih processov na odnu iz poverhnostej plastiny nanosyat epitaksialnym metodom tonkij sloj sverhchistogo kremniya so strogo zadannoj koncentraciej legiruyushej primesi V etom sloe v posleduyushih tehnologicheskih operaciyah formiruyut s pomoshyu diffuzii primesej okisleniya napyleniya plyonok struktury mnozhestva poluprovodnikovyh priborov ili integralnyh mikroshem Standartnye razmeryPlastiny diametrom 2 4 6 8 dyujmov 50 100 150 200 mm s sformirovannymi poluprovodnikovymi strukturami Diametry krugloj plastiny 1 dyujm 25 4 mm 2 dyujma 50 8 mm Tolshina 275 mkm 3 dyujma 76 2 mm Tolshina 375 mkm 4 dyujma 100 mm Tolshina 525 mkm 5 dyujmov 127 mm i 125 mm 4 9 dyujm Tolshina 625 mkm 5 9 dyujma 150 mm chasto nazyvayutsya 6 dyujmov Tolshina 675 mkm 7 9 dyujma 200 mm chasto nazyvayutsya 8 dyujmov Tolshina 725 mkm 11 8 dyujma 300 mm chasto nazyvayutsya 12 dyujmov ili plastina razmerom s piccu Tolshina 775 mkm 18 dyujmov 450 mm Tolshina 925 mkm ozhidaetsya Naibolee populyarnye razmery po sostoyaniyu na 2011 god 300 mm 200 mm 150 mm Naibolee sovremennye tehprocessy nachinaya primerno so 130 nm po izgotovleniyu SBIS obychno ispolzuyut 300 mm plastiny Sm takzhePodlozhka SMIF FOUP Multi Project WaferPrimechaniya Semi SemiSource 2006 A supplement to Semiconductor International December 2005 Reference Section How to Make a Chip Adapted from Design News Reed Electronics Group SemiSource 2006 A supplement to Semiconductor International December 2005 Reference Section How to Make a Chip Adapted from Design News Reed Electronics Group Levy Roland Albert Microelectronic Materials and Processes neopr 1989 S 1 2 ISBN 0 7923 0154 4 Grovenor C Microelectronic Materials neopr CRC Press 1989 S 113 123 ISBN 0 85274 270 3 Nishi Yoshio Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology angl CRC Press 2000 P 67 71 ISBN 0 8247 8783 8 Industry agrees on first 450 mm wafer standard EE Times neopr Data obrasheniya 21 avgusta 2013 Arhivirovano 14 oktyabrya 2014 goda Webinar Outlook on the Semiconductor Manufacturing Industry Arhivnaya kopiya ot 29 avgusta 2017 na Wayback Machine SEMI 2012 slajd 15 Global Silicon Wafer Outlook by Diameter angl SsylkiMediafajly na Vikisklade Everything Wafers angl V state ne hvataet ssylok na istochniki sm rekomendacii po poisku Informaciya dolzhna byt proveryaema inache ona mozhet byt udalena Vy mozhete otredaktirovat statyu dobaviv ssylki na avtoritetnye istochniki v vide snosok 11 dekabrya 2021
